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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111200422B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911133967.6，技术领域涉及：H03K3/3562；该发明授权半导体装置是由徐在禹;朴基万;金夏永;辛政桓;李根昊;赵成伟设计研发完成，并于2019-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：公开了一种半导体装置，包括：衬底，其具有在第一方向上彼此相邻的第一区和第二区；以及从第一区朝向第二区延伸的第一栅电极至第三栅电极。第一区和第二区中的每一个包括PMOSFET区和NMOSFET区。第一栅电极至第三栅电极在第一方向上延伸，并在与第一方向不同的第二方向上顺序地布置。第一栅电极和第三栅电极施加有第一信号。第二栅电极施加有作为第一信号的反相信号的第二信号。第一栅电极包括第一区的第一栅极和第二区的第一栅极。第一栅极在第一方向上对准并且彼此连接。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 衬底，其包括第一区和在第一方向上与所述第一区相邻的第二区；以及 从所述第一区朝向所述第二区延伸的第一栅电极、第二栅电极和第三栅电极， 其中，所述第一区和所述第二区中的每一个包括P型金属氧化物场效应晶体管区和在所述第一方向上与所述P型金属氧化物场效应晶体管区相邻的N型金属氧化物场效应晶体管区， 其中，所述第一栅电极、所述第二栅电极和所述第三栅电极中的每一个在所述第一方向上延伸，使得所述第一栅电极、所述第二栅电极和所述第三栅电极中的每一个在所述第一方向上纵向延伸， 其中，所述P型金属氧化物场效应晶体管区和所述N型金属氧化物场效应晶体管区中的每一个在与所述第一方向不同的第二方向上纵向延伸， 其中，所述第二栅电极在所述第二方向上插设于所述第一栅电极与所述第三栅电极之间， 其中，所述第一栅电极和所述第三栅电极被构造为接收第一信号，并且所述第二栅电极被构造为接收作为所述第一信号的反相信号的第二信号， 其中，所述第一栅电极包括所述第一区的第一栅极和所述第二区的第一栅极，所述第一区的第一栅极和所述第二区的第一栅极在所述第一方向上对准并且彼此连接， 其中，所述第三栅电极包括所述第一区的第三栅极和所述第二区的第三栅极， 其中，所述第一区的第三栅极和所述第二区的第三栅极在所述第一方向上彼此间隔开，并且 所述第一信号共同施加到所述第一区的第三栅极和所述第二区的第三栅极。

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