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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111584464B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911145205.8，技术领域涉及：H01L25/065；该发明授权半导体器件及其制造方法是由金毅烈;金善贤;朴喜雨设计研发完成，并于2019-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括顺序堆叠的第一子芯片和第二子芯片以及将第一子芯片和第二子芯片彼此电连接的贯通接触部。第一子芯片和第二子芯片中的每一个子芯片包括衬底和介于衬底之间的多个互连线。第二子芯片的互连线可以包括分别具有第一开口和第二开口的第一互连线和第二互连线，第一开口和第二开口彼此水平偏移。贯通接触部从第二子芯片的衬底朝第一子芯片延伸并可以包括辅助接触部，辅助接触部穿过第一开口和第二开口朝第一子芯片延伸，并具有比第一子芯片的互连线中的最上互连线的顶表面高的底表面。

本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一子芯片，包括第一衬底和所述第一衬底上的第一多个互连线； 第二子芯片，包括第二衬底和所述第二衬底上的第二多个互连线，其中所述第二子芯片堆叠在所述第一子芯片上，以及其中所述第一子芯片的所述第一多个互连线和所述第二子芯片的所述第二多个互连线位于所述第一衬底与所述第二衬底之间；以及 贯通接触部，从所述第二衬底朝所述第一子芯片延伸，以将所述第一子芯片和所述第二子芯片彼此电连接；以及 插入层，位于所述第一子芯片与所述第二子芯片之间并将所述第一子芯片物理连接到所述第二子芯片， 其中所述第二子芯片的所述第二多个互连线包括具有第一开口的第一互连线和具有第二开口的第二互连线， 其中所述第二开口的中心相对于所述第一开口的中心在平行于所述第一衬底和所述第二衬底的方向上水平偏移， 其中所述贯通接触部包括辅助接触部，所述辅助接触部在所述第一开口和所述第二开口中朝所述第一子芯片延伸， 其中相对于所述第一衬底，所述辅助接触部的底表面的高度高于所述第一子芯片的所述第一多个互连线中的最上互连线的顶表面的高度，并且 其中相对于所述第一衬底，所述辅助接触部的底表面的高度高于所述插入层的底表面的高度并低于所述插入层的顶表面的高度。

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