恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司张田田获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112397442B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910744276.3，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体器件及其形成方法是由张田田;荆学珍;童哲源;肖张茹;于海龙设计研发完成，并于2019-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其形成方法，包括：提供基底，所述基底上具有层间介质层；刻蚀所述层间介质层形成接触孔，所述接触孔暴露出所述基底表面；在所述接触孔内的所述基底上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成金属层，且所述金属层填充满所述接触孔。本发明利用阻挡层中的离子能够较好地吸附这种电负性较大的离子，因此阻挡层能够起到有效地阻挡电负性较大的离子发生扩散，从而避免电负性较大的离子扩散，减少对半导体器件造成损伤，从而使得形成的半导体器件的性能得到提高。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上具有层间介质层； 刻蚀所述层间介质层形成接触孔，所述接触孔暴露出所述基底的表面，形成所述接触孔工艺中含有F； 在所述接触孔的底部、侧壁以及所述层间介质层的表面上形成反应金属层； 在所述反应金属层的表面上形成扩散阻挡层； 去除所述扩散阻挡层以及未参加反应的所述反应金属层； 在所述接触孔内的所述基底上形成阻挡层； 在所述阻挡层上形成金属层，且所述金属层填充满所述接触孔； 所述阻挡层的材料为钴或钽，所述阻挡层位于所述接触孔的底部。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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