天津理工大学徐永宽获国家专利权
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龙图腾网获悉天津理工大学申请的专利一种PVT法生长高纯4H-SiC单晶的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119028812B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411150487.1，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种PVT法生长高纯4H-SiC单晶的方法是由徐永宽;刘俊平;马文成;齐小方;陈建丽设计研发完成，并于2024-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种PVT法生长高纯4H-SiC单晶的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种PVT法生长高纯4H‑SiC单晶的方法，属于半导体技术领域。在SiC晶体生长之前，对SiC衬底的Si面进行电化学刻蚀预处理，具体为：将SiC衬底的Si面裸露，C面遮掩；衬底遮掩面连接石墨电极用作阳极，阴极选用石墨电极或铂电极；阳极与阴极对称放置，将SiC衬底置于电解液中，连接电源对衬底生长面进行电化学刻蚀；将电化学刻蚀好的衬底继续置于电解液中浸泡，再置于去离子水中浸泡超声，最后用惰性气体吹干。本发明提供的一种PVT法生长高纯4H‑SiC单晶的方法，在SiC晶体PVT法生长前，对SiC衬底的Si面进行电化学刻蚀预处理，能够提供更多的成核位点，降低4H在Si面成核能，为4H‑SiC成核生长提供窗口，减少氮元素的吸收，稳定高纯4H‑SiC单晶的生长。
本发明授权一种PVT法生长高纯4H-SiC单晶的方法在权利要求书中公布了：1.一种PVT法生长高纯4H-SiC单晶的方法，其特征在于：在PVT法SiC晶生长之前，对SiC衬底的Si面进行电化学刻蚀预处理，提供更多的成核位点，降低4H在Si面的成核能，为4H-SiC成核生长提供窗口，减少氮元素的吸收，稳定高纯4H-SiC单晶的生长；所述对SiC衬底的Si面进行电化学刻蚀预处理的具体步骤为：1将需预处理的SiC衬底的Si面裸露，C面遮掩；2衬底的C面连接石墨电极用作阳极，阴极选用石墨电极或铂电极；3阳极与阴极对称放置，将SiC衬底置于电解液中，连接电源通电，对衬底的Si面进行电化学刻蚀；4将电化学刻蚀好的衬底继续置于电解液中浸泡，再置于去离子水中浸泡超声，最后用惰性气体吹干；所述步骤3中，电解液为HF溶液，浓度为0-60wt％，温度为0-50℃，电化学刻蚀时间为0-5h。
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