安建科技有限公司伍震威获国家专利权
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龙图腾网获悉安建科技有限公司申请的专利一种功率半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223007817U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421987297.0，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种功率半导体器件是由伍震威;单建安设计研发完成，并于2024-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率半导体器件在说明书摘要公布了：一种功率半导体器件，本实用新型涉及于功率半导体器件，本实用新型设计上下两层P型盖层，下层的第一P型盖层的高掺杂浓度保证了器件的阈值电压可达到较高的数值，减低增强型器件被误开启的机会；上层的第二P型盖层的掺杂浓度沿垂直方向由下往上递减及沿水平方向由中间往左右边缘递减，其表面角落位置的掺杂浓度较低，当栅极正向受压时,表面角落的耗尽区较深，所形成的尖峰电场会较低，此设计减少了栅极漏电流，提升了的栅极击穿电压及可靠性。
本实用新型一种功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，所述的器件包括有位于底部的衬底层、位于衬底层上方的缓冲层、位于缓冲层上方的沟道层、位于沟道层上方的势垒层和位于势垒层上方的第一P型盖层；其特征在于，所述的第一P型盖层上方还设有位于边缘部分的扩散阻挡层和位于中间部分的第二P型盖层，所述的第二P型盖层包括有位于第一P型盖层上方的第二P型中间盖层和向两侧延伸覆盖所述的扩散阻挡层的第二P型两侧盖层,所述的第二P型盖层上方设有栅极金属层，位于栅极金属层一侧的源极金属层和另一侧的漏极金属层，所述的第二P型盖层与栅极金属层形成肖特基接触；所述的沟道层与势垒层形成异质结，并且在位于异质结下方的沟道层的表面形成有二维电子气；所述的第二P型盖层掺杂浓度沿垂直方向由下往上递减，沿水平方向由中间向两侧边缘递减。
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