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龙图腾网获悉青岛创芯卓实光电科技有限公司申请的专利一种改进型无片内电容LDO电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223006410U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421902201.6，技术领域涉及：G05F1/56；该实用新型一种改进型无片内电容LDO电路是由徐学良;曲洪恩设计研发完成，并于2024-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改进型无片内电容LDO电路在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种改进型无片内电容LDO电路，包括误差放大器EA、缓冲级Buffer、PMOS功率管Mp以及电阻R1和R2，缓冲级Buffer采用NMOS+PMOS组合实现，并且缓冲级Buffer的NMOS管由普通的NMOS管改为nativeNMOS管。本实用新型电路可以解决LDO在0载、轻载时无法正常工作的问题，又可以确保在重载、低电源电压时正常工作。

本实用新型一种改进型无片内电容LDO电路在权利要求书中公布了：1.一种改进型无片内电容LDO电路，其特征在于，包括误差放大器EA、缓冲级Buffer、PMOS功率管Mp以及电阻R1和R2，所述误差放大器EA的反相输入端连接参考电压Vref，所述误差放大器EA的输出端连接到缓冲级Buffer的输入端，所述缓冲级Buffer的输出端连接到PMOS功率管Mp的栅极，所述误差放大器EA、缓冲级Buffer、PMOS功率管Mp的源极均连接到电源电压VDD，所述电阻R1、R2组成反馈网络，其中电阻R2第一端子与PMOS功率管Mp漏极连接，第二端子与电阻R1第一端子连接，第二端子与地端连接，所述PMOS功率管Mp的漏极和R2第一端子之间的节点电压为输出电压Vout，所述电阻R2第二端子与电阻R1第一端子之间的节点电压为反馈电压Vfb，反馈电压Vfb连接差放大器EA的正相输入端；所述缓冲级Buffer采用超级源极跟随器，包括偏置电流Ibias1～3、nativeNMOS管Mn_native和PMOS管Mp1，所述nativeNMOS管Mn_native的栅极连接误差放大器EA的输出端，所述nativeNMOS管Mn_native的漏极和PMOS管Mp1的栅极均连接偏置电流Ibias1，所述nativeNMOS管Mn_native的源极连接偏置电流Ibias2，所述PMOS管Mp1的源极连接到电源电压VDD，所述PMOS管Mp1的漏极连接偏置电流Ibias3，所述nativeNMOS管Mn_native的源极和PMOS管Mp1的漏极均连接PMOS功率管Mp的栅极。

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