常州英诺激光科技有限公司;英诺光伏设备(江苏)有限公司晏恒峰获国家专利权
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龙图腾网获悉常州英诺激光科技有限公司;英诺光伏设备(江苏)有限公司申请的专利IBC电池背面结构及IBC电池获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223007834U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202421858916.6,技术领域涉及:H10F77/14;该实用新型IBC电池背面结构及IBC电池是由晏恒峰;戴燕华;贾建成设计研发完成,并于2024-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本IBC电池背面结构及IBC电池在说明书摘要公布了:本实用新型属于太阳能电池技术领域,具体涉及一种IBC电池背面结构及IBC电池。本实用新型的IBC电池背面结构包括:交替排列且间隔设置在硅片背面的P区和N区;其中所述P区包括由内而外设置的第二本征非晶硅层、第二硼掺杂的纳米晶硅氧化硅层、第二硼掺杂的纳米晶硅层和第二TCO透明导电层;所述N区包括由内而外设置的隧穿氧化层、磷掺杂的多晶硅层、SiNx隔离层。本实用新型的IBC电池背面结构的P区的结构可以采用低温制程,克服了现有技术中采用高温制程制备的IBC电池过程中硼掺杂所需的高温不仅容易破坏隧穿层的缺陷;此外,P区功能层无需进行激光加工,克服了现有技术中采用低温制程制备的膜层易在采用激光局部刻蚀的方法中出现热衰减效应的缺陷。
本实用新型IBC电池背面结构及IBC电池在权利要求书中公布了:1.一种IBC电池背面结构,其特征在于,包括:交替排列且间隔设置在硅片(1)背面的P区(2)和N区(3);其中 所述P区(2)包括由内而外设置的第二本征非晶硅层(21)、第二硼掺杂的纳米晶硅氧化硅层(22)、第二硼掺杂的纳米晶硅层(23)和第二TCO透明导电层(24); 所述N区(3)包括由内而外设置的隧穿氧化层(31)、磷掺杂的多晶硅层(32)、SiNx隔离层(33)。
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