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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223007818U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421833395.9，技术领域涉及：H10D84/82；该实用新型半导体器件是由尚正阳;王维安;杨宗凯;陈信全;李扬杰设计研发完成，并于2024-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体衬底；第二导电类型的深阱，位于半导体衬底中；第一导电类型的浅阱，位于第二导电类型的深阱外侧的半导体衬底中；间隔设置的JFET源极区、漏极区以及LDMOS源极区；场氧化层、JFET多晶硅栅和LDMOS多晶硅栅，场氧化层位于所述第二导电类型的深阱中，JFET多晶硅栅和LDMOS多晶硅栅位于场氧化层上；第一导电类型的高压阱，其包括第一部分和第二部分，第一部分位于JFET源极区与漏极区之间的第二导电类型的深阱中，第二部分位于漏极区与LDMOS多晶硅栅之间的第二导电类型的深阱中，且第二部分为多边形矩阵分布。本实用新型提供的半导体器件可以同时满足LDMOS和JFET的性能需求。

本实用新型半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 第一导电类型的半导体衬底； 第二导电类型的深阱，位于所述半导体衬底中； 第一导电类型的浅阱，位于所述第二导电类型的深阱外侧的半导体衬底中； 间隔设置的JFET源极区、漏极区以及LDMOS源极区，所述JFET源极区和漏极区位于所述第二导电类型的深阱的表面，所述LDMOS源极区位于所述第一导电类型的浅阱的表面，且所述漏极区位于所述JFET源极区与所述LDMOS源极区之间； 场氧化层、JFET多晶硅栅和LDMOS多晶硅栅，所述场氧化层位于所述第二导电类型的深阱中，所述JFET多晶硅栅位于所述JFET源极区与漏极区之间的场氧化层上，所述LDMOS多晶硅栅位于所述漏极区与所述LDMOS源极区之间的场氧化层上； 第一导电类型的高压阱，其包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述JFET源极区与所述漏极区之间的第二导电类型的深阱中，所述第二部分位于所述漏极区与所述LDMOS多晶硅栅之间的第二导电类型的深阱中，且所述第二部分为多边形矩阵分布。

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