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龙图腾网获悉南京融芯微电子有限公司申请的专利一种雪崩特性改善的平面式功率金属氧化物半导体获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223007815U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421743557.X，技术领域涉及：H10D30/67；该实用新型一种雪崩特性改善的平面式功率金属氧化物半导体是由李振道;孙明光;朱伟东设计研发完成，并于2024-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种雪崩特性改善的平面式功率金属氧化物半导体在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种雪崩特性改善的平面式功率金属氧化物半导体，包括多个重复性单元，任意一个重复性单元结构包括：外延层；P阱区；氧化层，沉积在所述P型阱区内；P型多晶硅，形成于所述P型阱区内；N+阱区，形成于所述P型阱区内；P+阱区，形成于所述P型阱区内；闸极氧化层，位于所述外延层上表面；闸极多晶硅，位于所述闸极氧化层表上表面；介电层，所述介电层将闸极氧化层和闸极多晶硅均包覆在内；金属层，沉积在整个器件的上表面，且通过金属接触孔与P型多晶硅接触。本实用新型通过对器件内部结构的优化，可以在不影响器件其它静态特性的前提下，避免器件因内建BJT过早导通而引发雪崩崩溃，从而改善器件的雪崩特性。

本实用新型一种雪崩特性改善的平面式功率金属氧化物半导体在权利要求书中公布了：1.一种雪崩特性改善的平面式功率金属氧化物半导体，包括多个重复性单元，其特征在于，任意一个重复性单元结构包括： 外延层，设置于衬底上； P阱区，位于所述外延层内表面； 氧化层，沉积在所述P型阱区内； P型多晶硅，形成于所述P型阱区内，且位于所述氧化层的上表面； N+阱区，形成于所述P型阱区内，且位于所述P型多晶硅的两侧，与P型多晶硅部分接触； P+阱区，形成于所述P型阱区内，且位于所述氧化层和P型多晶硅的两侧，所述P+阱区分别与氧化层和P型多晶硅部分接触，所述P+阱区位于所述N+阱区的下方； 闸极氧化层，位于所述外延层上表面，且所述闸极氧化层的两端均覆盖P阱区和N+阱区的上表面； 闸极多晶硅，位于所述闸极氧化层表上表面； 介电层，所述介电层将闸极氧化层和闸极多晶硅均包覆在内，且所述介电层上设置有金属接触孔，露出P型多晶硅上表面； 金属层，沉积在整个器件的上表面，且通过金属接触孔与P型多晶硅接触。

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