杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种降低电磁干扰及其噪声的VDMOS器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223007814U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421640817.0，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种降低电磁干扰及其噪声的VDMOS器件是由许一力设计研发完成，并于2024-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种降低电磁干扰及其噪声的VDMOS器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种降低电磁干扰及其噪声的VDMOS器件，包括若干VDMOS元胞相互并列组成的VDMOS器件，所述VDMOS元胞包括漏极、金属源极、栅极以及半导体外延层；所述半导体外延层包括衬底层、扩散层、P阱层以及N阱层，所述N阱层与扩散层之间通过P阱层隔绝；其中，所述扩散层的内部通过注入不同浓度磷元素形成漂移层，所述漂移层包括漂移层一、漂移层二、漂移层三以及漂移层四；所述P阱层包括轻掺杂P阱层一和重掺杂P阱层一。本实用新型通过在扩散层内引入漂移层，漂移层可以削减栅极电压的峰值，避免峰值电压击穿半导体外延层，并且由于漂移层内圈的浓度与N阱层相似，这样可以减少电荷沟道的导通电阻，实现对开关EMI噪声的优化。
本实用新型一种降低电磁干扰及其噪声的VDMOS器件在权利要求书中公布了：1.一种降低电磁干扰及其噪声的VDMOS器件，其特征在于，包括若干VDMOS元胞相互并列组成的VDMOS器件，所述VDMOS元胞包括漏极1、金属源极4、栅极6以及半导体外延层； 所述半导体外延层包括衬底层2、扩散层3、P阱层以及N阱层，所述N阱层与扩散层3之间通过P阱层隔绝； 其中，所述扩散层3的内部通过注入不同浓度磷元素形成漂移层，所述漂移层包括漂移层一11、漂移层二12、漂移层三13以及漂移层四14； 所述P阱层包括轻掺杂P阱层一9和重掺杂P阱层一10； 所述N阱层包括重掺杂N阱层一7和重掺杂N阱层二8，所述N阱层中仅重掺杂N阱层一7与金属源极4欧姆短接。
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