北京清芯微储能科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉北京清芯微储能科技有限公司申请的专利一种槽栅超结VDMOS器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223007812U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421627683.9，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种槽栅超结VDMOS器件是由许一力设计研发完成，并于2024-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种槽栅超结VDMOS器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种槽栅超结VDMOS器件，包括由若干个VDMOS元胞组成的VDMOS器件，所述VDMOS器件包括漏极、半导体外延层、金属源极以及栅极；所述半导体外延层包括衬底层、扩散层、P阱层以及重掺杂N阱层，其中N阱层与扩散层通过P阱层隔绝；其中，所述P阱层包括轻掺杂P阱层一、重掺杂P阱层一以及重掺杂P阱层二；所述扩散层通过离子注入不同浓度磷元素形成轻掺杂扩散层一、轻掺杂扩散层二、轻掺杂扩散层三。本实用新型通过在相邻VDMOS元胞之间离子注入形成重掺杂P阱层一，并且由于轻掺杂层具有较低低的电荷导通效果，这样当开关管导通时，由于轻掺杂层和重掺杂P阱层一的约束，从而减少了非平衡载流子的注入并使得反向恢复电荷减少。
本实用新型一种槽栅超结VDMOS器件在权利要求书中公布了：1.一种槽栅超结VDMOS器件，其特征在于，包括由若干个VDMOS元胞组成的VDMOS器件，所述VDMOS器件包括漏极1、半导体外延层、金属源极4以及栅极6； 所述半导体外延层包括衬底层2、扩散层3、P阱层以及重掺杂N阱层7，其中N阱层与扩散层3通过P阱层隔绝； 其中，所述P阱层包括轻掺杂P阱层一8、重掺杂P阱层一9以及重掺杂P阱层二10； 所述衬底层2包括导通衬底层201和抑制衬底层202； 所述扩散层3通过离子注入不同浓度磷元素形成轻掺杂扩散层一301、轻掺杂扩散层二303、轻掺杂扩散层三304、重掺杂扩散层305以及轻掺杂层302。
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