北京清芯微储能科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉北京清芯微储能科技有限公司申请的专利一种高耐压高稳定性的半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223007813U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421627696.6，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种高耐压高稳定性的半导体器件是由许一力设计研发完成，并于2024-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高耐压高稳定性的半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种高耐压高稳定性的半导体器件，包括由多个VDMOS元胞组成的VDMOS器件，所述VDMOS元胞包括漏极、半导体外延层、金属源极和栅极；所述半导体外延层包括P阱层、N阱层、扩散层、衬底层以及重掺杂P阱层二；所述重掺杂P阱层二与漏极欧姆短接；所述P阱层包括轻掺杂P阱层一、重掺杂P阱层一、轻掺杂P阱层二以及轻掺杂P阱层三；所述N阱层包括轻掺杂N阱层以及重掺杂N阱层；所述扩散层包括侧边层、底掺杂层以及中间层；其中，所述低掺杂层内部掺入有高能杂质。本实用新型通过在衬底层中离子注入形成P体区，该P体区会阻隔漏极与电荷沟道之间形成最近导电路径，这样可以极大的增加该半导体器件的耐压性，提高栅极对峰值电压的承受能力。
本实用新型一种高耐压高稳定性的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种高耐压高稳定性的半导体器件，其特征在于，包括由多个VDMOS元胞组成的VDMOS器件，所述VDMOS元胞包括漏极1、半导体外延层、金属源极2和栅极4； 所述半导体外延层包括P阱层、N阱层、扩散层9、衬底层12以及重掺杂P阱层二13；其中，所述重掺杂P阱层二13与漏极1欧姆短接； 所述P阱层包括轻掺杂P阱层一5、重掺杂P阱层一6、轻掺杂P阱层二7以及轻掺杂P阱层三8；所述N阱层包括轻掺杂N阱层10以及重掺杂N阱层11； 所述扩散层9包括侧边层901、低掺杂层902以及中间层903；其中，所述低掺杂层902内部掺入有高能杂质904。
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