清华大学冯雪获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223006769U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421618440.9，技术领域涉及：H01L23/373；该实用新型半导体器件是由冯雪;朱佳雪;马寅佶;唐云龙设计研发完成，并于2024-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括异质结结构、栅极、源极、漏极及散热层。所述异质结结构包括沟道层及位于所述沟道层一侧的势垒层。所述栅极、所述源极与所述漏极均位于所述势垒层远离所述沟道层的一侧。所述散热层位于所述沟道层远离所述势垒层的一侧，所述散热层包括多个间隔排布的散热柱，所述散热层的材料为单晶材料或多晶材料。
本实用新型半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 异质结结构，所述异质结结构包括沟道层及位于所述沟道层一侧的势垒层； 栅极、源极与漏极，位于所述势垒层远离所述沟道层的一侧； 散热层，位于所述沟道层远离所述势垒层的一侧，所述散热层包括多个间隔排布的散热柱，所述散热层的材料为单晶材料或多晶材料。
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