扬州比亚迪半导体有限公司叶旺获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州比亚迪半导体有限公司申请的专利半导体元胞结构、半导体器件、电子设备和车辆获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223007816U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421470978.X，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型半导体元胞结构、半导体器件、电子设备和车辆是由叶旺;曹群设计研发完成，并于2024-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元胞结构、半导体器件、电子设备和车辆在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种半导体元胞结构、半导体器件、电子设备和车辆，半导体元胞结构包括多个第一导电类型的漂移区和多个第二导电类型的掺杂区；多个掺杂区与多个漂移区沿半导体元胞结构的横向交替排列，以形成超结结构，其中，在半导体元胞结构的纵向上，漂移区的高度大于掺杂区的高度，以形成以掺杂区的上表面为槽底的沟槽；肖特基金属层，肖特基金属层覆盖每个漂移区的上表面和每个沟槽。本实用新型的半导体元胞结构，可以兼顾器件反向工作的高耐压性和正向工作的低导通压降。
本实用新型半导体元胞结构、半导体器件、电子设备和车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体元胞结构，其特征在于，包括： 多个第一导电类型的漂移区； 多个第二导电类型的掺杂区，多个所述掺杂区与多个所述漂移区沿所述半导体元胞结构的横向交替排列，以形成超结结构，其中，在所述半导体元胞结构的纵向上，所述漂移区的高度大于所述掺杂区的高度，以形成以所述掺杂区的上表面为槽底的沟槽； 肖特基金属层，所述肖特基金属层覆盖每个所述漂移区的上表面和每个所述沟槽。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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