邯郸中建材光电材料有限公司郭秀斌获国家专利权
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龙图腾网获悉邯郸中建材光电材料有限公司申请的专利一种CdTe电池及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118486741B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410680764.3,技术领域涉及:H10F10/162;该发明授权一种CdTe电池及其制备方法是由郭秀斌;吴一民;邵传兵设计研发完成,并于2024-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种CdTe电池及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种CdTe电池及其制备方法,涉及太阳能电池技术领域,所述CdTe电池包括发电玻璃结构,所述发电玻璃结构包括浮法玻璃层、复合透明导电层、发电层、背接触缓冲层和复合背电极层;所述复合透明导电层包括第一金属化合物层、第一金属层和第二金属化合物层,所述第一金属化合物层和所述第二金属化合物层均为金属氧化物层或金属硫化物层;所述复合背电极层包括金属氮化物层、第二金属层和第三金属层。在现有CdTe电池的结构基础上,本发明通过以特定结构的复合透明导电层作为前电极,配合以特定结构的复合背电极层,通过匹配各层膜厚和折射率,提升了整体膜层的透光率和导电率,同时降低了成本,弥补了现有CdTe电池的不足。
本发明授权一种CdTe电池及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种CdTe电池,其特征在于,所述CdTe电池的制备方法包括以下步骤: AR涂层钢化玻璃,其表面涂覆有高温烧结固化的AR减反膜涂层,其透光率在93%以上; 第一PVB胶膜+丁基胶边缘密封层的PVB胶膜将所述AR涂层钢化玻璃与超白浮法玻璃粘接为一体;PVB胶膜的厚度为0.76mm; 所述超白浮法玻璃其透光率在93%以上; 在浮法玻璃上,采用化学气相沉积制备阻挡层SiOx,厚度为20nm; 在设有阻挡层的浮法玻璃上采用磁控溅射法依次制备ZnSAgZnS层,本底真空为10的-6次方数量级,溅射压强为10的-3次方数量级,通入工艺气体流量为500sccm,流片速度为1.8mmin,工艺气体均为氩气,每层的厚度分别为40.189.0740.09nm,总厚度为90nm; 在ZnSAgZnS三叠层或FTO单层上采用化学气相沉积制备高阻层SnO2,厚度为35nm; 发电层材料为CdSexTe1-x,厚度为3.1μm,其中X为0.03,制备在透明导电层上方; 背接触层的材料为ZnTe:AgyCu1-y,y为0.6;复合膜层总厚度为41nm,制备在发电层上方; 第一沟道P1激光划刻采用波长为355nm的激光;将透明导电层发电层背接触层切割成宽度为7.2mm的等宽度的子长条状;在第一沟道P1中通过光刻技术填充绝缘胶; 第二沟道P2激光划刻采用波长为532nm的激光,以P1为基准间隔90μm将发电层背接触层切割成宽度为7.2mm的等宽度的子长条状; 在背接触层上采用磁控溅射法依次制备氮化钼铝铬层,本底真空为10的-6次方数量级,溅射压强为10的-3次方数量级,流片速度为1.8mmin,氮化钼MoNx的工艺气体采用氮气和氩气的混合气体,流量比为3比7,总流量为600sccm,铝Al和铬Cr的工艺气体均为氩气,流量均为600sccm,每层的厚度分别为34.65182.1791.03nm,总厚度为307nm; 第三沟道P3激光划刻采用波长为532nm的激光,以P2为基准间隔90μm将发电层背接触层背电极层切割成宽度为7.2mm的等宽度的子长条状; 第四沟道P4为激光或者机械清除发电玻璃四边,清边宽度为10mm; 引汇流条将依次粘接在两侧背电极层上,将电流通过钢化玻璃中的孔引出; 第二PVB胶膜+丁基胶边缘密封层,丁基胶边缘密封,丁基胶的宽度为11mm,厚度为0.5mm,PVB胶膜的厚度为0.76mm;钢化玻璃保护中间发电玻璃。
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