友达光电股份有限公司江家维获国家专利权
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龙图腾网获悉友达光电股份有限公司申请的专利逆变器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148748B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210864280.5，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权逆变器是由江家维;范扬顺;黄震铄;陈衍豪设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本逆变器在说明书摘要公布了：一种逆变器，包括基板、第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一半导体结构、第一源极以及第一漏极。第一半导体结构包括第一源极区、第一漏极区以及第一通道区。第一源极区的厚度大于第一通道区的厚度以及第一漏极区的厚度。第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二半导体结构、第二源极以及第二漏极。第二半导体结构包括第二源极区、第二漏极区以及第二通道区。第二通道区的厚度大于第二源极区的厚度以及第二漏极区的厚度。第二漏极电性连接第一源极。
本发明授权逆变器在权利要求书中公布了：1.一种逆变器，包括： 一基板； 一第一薄膜晶体管，位于该基板之上，且包括： 一第一栅极； 一第一半导体结构，包括一第一源极区、一第一漏极区以及位于该第一源极区与该第一漏极区之间的一第一通道区，其中该第一栅极重叠于该第一通道区，且该第一源极区的厚度大于该第一通道区的厚度以及该第一漏极区的厚度； 一第一源极，电性连接该第一源极区；以及 一第一漏极，电性连接该第一漏极区以及该第一栅极；以及 一第二薄膜晶体管，位于该基板之上，且包括： 一第二栅极； 一第二半导体结构，包括一第二源极区、一第二漏极区以及位于该第二源极区与该第二漏极区之间的一第二通道区，其中该第二栅极重叠于该第二通道区，且该第二通道区的厚度大于该第二源极区的厚度以及该第二漏极区的厚度； 一第二源极，电性连接该第二源极区；以及 一第二漏极，电性连接该第二漏极区以及该第一源极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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