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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种SARADC的电容阵列开关方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115037305B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210632034.7，技术领域涉及：H03M1/46；该发明授权一种SARADC的电容阵列开关方法是由薛菲菲;郑晓亮;王佳;郑然;魏晓敏;黄雪蕾;胡永才设计研发完成，并于2022-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SARADC的电容阵列开关方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SARADC的电容阵列开关方法，涉及集成电路技术领域，所述SARADC包括采样开关、分裂电容阵列、参考电平组、比较器和时序控制电路，所述参考电平组包括第一电平GND、第二电平VREF和第三电平VCM，所述第三电平VCM＝12VREF，所述方法包括以下步骤：采样阶段，将输入信号通过采样开关分别连接到分裂电容阵列的顶板，分裂电容阵列的底板均与第三电平VCM相连；转换阶段，将采样开关断开，比较器通过比较分裂电容阵列顶板的电压，得到多位数字码，根据数字码控制分裂电容阵列中电容底板的连接关系。本发明电容阵列开关方法所用面积约为传统VCM‑based电容阵列开关方法的50％，功耗也为传统VCM‑based电容阵列开关方法的50％。

本发明授权一种SARADC的电容阵列开关方法在权利要求书中公布了：1.一种SARADC的电容阵列开关方法，其特征在于，所述SARADC包括采样开关、分裂电容阵列、比较器和时序控制电路，所述分裂电容阵列设置有参考电平组，所述参考电平组包括第一电平GND、第二电平VREF和第三电平VCM，所述第三电平VCM＝12VREF，所述方法包括以下步骤： 采样阶段，将输入信号通过采样开关分别连接到分裂电容阵列的顶板，所述分裂电容阵列的底板均与第三电平VCM相连； 转换阶段，将所述采样开关断开，所述比较器通过比较分裂电容阵列顶板的电压，得到多位数字码，根据所述数字码控制分裂电容阵列中电容底板的连接关系； 所述输入信号包括Vip和Vin，所述分裂电容阵列包括P电容阵列和N电容阵列，所述P电容阵列和N电容阵列各段分裂电容大小均为：Ci＝2i-1，其中1≤i≤N-2，C0＝C； 将Vip和Vin通过采样开关分别连接到P电容阵列和N电容阵列的顶板，所述P电容阵列和N电容阵列的底板均与第三电平VCM相连； 所述转换阶段具体包括以下步骤： 步骤1，所述比较器通过比较P电容阵列和N电容阵列顶板的电压，得到最高位数字码D1，根据所述最高位数字码D1控制P电容阵列和N电容阵列中电容底板的连接关系： 若D1＝1，将P电容阵列中的CN-2底板连接至第一电平GND，将N电容阵列中的CN-2底板连接至第二电平VREF，以产生-12VREF的电压偏移； 若D1＝0，将P电容阵列中的CN-2底板连接至第二电平VREF，将N电容阵列中的CN-2底板连接至第一电平GND，以产生+12VREF的电压偏移； 步骤2～步骤N-2，所述比较器通过比较上一步骤得到的P电容阵列和N电容阵列顶板电压，得到相应的数字码，根据所述数字码控制P电容阵列和N电容阵列中底板的连接关系，所述步骤2～步骤N-2中P电容阵列和N电容阵列中底板的连接关系情况与步骤1相同； 步骤N-1，所述比较器通过比较步骤N-2中的P电容阵列和N电容阵列顶板的电压，得到数字码DN-1，根据所述数字码DN-1控制P电容阵列和N电容阵列中电容底板的连接关系： 若DN-1＝1，将P电容阵列中C0底板连接至第一电平GND，以产生-12N-1VREF的电压偏移； 若DN-1＝0，将N电容阵列中C0底板连接至第一电平GND，以产生+12N-1VREF的电压偏移； 步骤N，通过比较步骤N-1得到的P电容阵列和N电容阵列顶板电压，得到最低位数字码DN。

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