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龙图腾网恭喜中国科学院深圳先进技术研究院申请的专利一种兼容CMOS后端工艺的HfO₂基忆阻器的制备方法及忆阻器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101665B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210557881.1，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种兼容CMOS后端工艺的HfO₂基忆阻器的制备方法及忆阻器是由黄明强;陈泓;李廉正;赵广超设计研发完成，并于2022-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种兼容CMOS后端工艺的HfO₂基忆阻器的制备方法及忆阻器在说明书摘要公布了：本申请公开了一种兼容CMOS后端工艺的HfO2基忆阻器的制备方法及忆阻器。制备方法为：选取SiSiO2衬底并清洗；在衬底上形成底电极图案；在衬底上生成Ti层和Pt层作为底电极；在底电极上生成HfO2层作为电介质层；在HfO2层上形成顶电极图案；在HfO2层上生成Ti层和Pt层作为顶电极；在顶电极上形成底电极刻蚀区域图案；对底电极刻蚀区域进行刻蚀，刻蚀掉HfO2层；将器件在N2环境下保持温度在250~300℃金属化后退火60~90s，得到结构为TiPtHfO2TiPt的HfO2基忆阻器成品。本申请工艺温度低，热应力小，兼容于CMOS后端工艺，具有100%的良品率，有助于实现器件量产。

本发明授权一种兼容CMOS后端工艺的HfO₂基忆阻器的制备方法及忆阻器在权利要求书中公布了：1.一种兼容CMOS后端工艺的HfO2基忆阻器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 选取SiSiO2衬底，对SiSiO2衬底进行清洗除去杂质； 采用紫外光刻工艺在SiSiO2衬底上形成底电极图案； 采用电子束蒸镀工艺在SiSiO2衬底上生成Ti层和Pt层作为底电极，所述底电极的Ti层位于SiO2层与Pt层之间； 采用原子层沉积工艺在底电极上生成HfO2层作为电介质层； 采用紫外光刻工艺在HfO2层上形成顶电极图案； 采用电子束蒸镀工艺在HfO2层上生成Ti层和Pt层作为顶电极，所述顶电极的Ti层位于HfO2层与Pt层之间； 采用紫外光刻工艺在顶电极上形成底电极刻蚀区域图案； 对底电极刻蚀区域进行刻蚀，刻蚀掉HfO2层，露出底电极，制得HfO2基忆阻器半成品； 将HfO2基忆阻器半成品在N2环境下保持温度在250~300℃金属化后退火60~90s，得到结构为TiPtHfO2TiPt的HfO2基忆阻器成品。

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