恭喜合肥本源量子计算科技有限责任公司马亮亮获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥本源量子计算科技有限责任公司申请的专利超导电路、量子芯片及超导电路的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440877B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210298097.3，技术领域涉及：H10N60/12；该发明授权超导电路、量子芯片及超导电路的制备方法是由马亮亮;张润潇设计研发完成，并于2022-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本超导电路、量子芯片及超导电路的制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种超导电路、量子芯片及超导电路的制备方法，属于量子计算技术领域。所述超导电路包括：位于衬底上的第一超导体；位于所述第一超导体的一侧面的势垒层，所述侧面垂直于所述衬底；以及，覆盖所述势垒层的第二超导体，且所述第二超导体、所述势垒层和所述第一超导体之间具有约瑟夫森效应。在本申请的结构中由于势垒层位于第一超导体的垂直于所述衬底的一个侧面上，因而可通过调整第一超导体的厚度调整势垒层的尺寸，克服了现有技术当中势垒层仅可通过第一超导体和或第二超导体的线宽调整势垒层大小的难题，从而降低了对线宽精度的要求。
本发明授权超导电路、量子芯片及超导电路的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超导电路，其特征在于，包括： 位于衬底上的第一超导体； 位于所述第一超导体的一侧面的势垒层，所述侧面垂直于所述衬底，所述势垒层为氧化所述第一超导体形成的氧化物层，所述势垒层的厚度小于库伯电子对的相干长度；以及 覆盖所述势垒层的第二超导体，且所述第二超导体、所述势垒层和所述第一超导体之间具有约瑟夫森效应； 位于所述第一超导体上的绝缘隔离层，所述绝缘隔离层与所述势垒层相邻接，且所述第二超导体覆盖所述绝缘隔离层，所述绝缘隔离层为对氧化后的第一超导体平行于衬底的表面重复多次镀膜氧化步骤形成的氧化物层，所述镀膜氧化步骤包括：定向镀膜以形成厚度为0.1～1nm的超导金属材料于所述第一超导体平行于所述衬底的一表面，并氧化所述超导金属材料生成所述超导金属材料的氧化物，所述绝缘隔离层的厚度大于所述库伯电子对的相干长度。
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