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龙图腾网恭喜季优科技(上海)有限公司申请的专利MEMS气体传感器的晶圆级三维封装方法及结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114455536B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210118996.0，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权MEMS气体传感器的晶圆级三维封装方法及结构是由徐大朋设计研发完成，并于2022-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本MEMS气体传感器的晶圆级三维封装方法及结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种MEMS气体传感器的晶圆级三维封装方法及结构。方法包括步骤：提供半导体基底，内形成有ASIC芯片及多个间隔设置的硅通孔；对半导体基底进行背面减薄；对半导体基底的背面进行刻蚀，以使硅通孔的表面突出于半导体基底的背面；于半导体基底的背面形成绝缘层；对半导体基底背面进行化学机械抛光，露出硅通孔；进行光刻和干法刻蚀，以于半导体基底的背面形成空腔；将形成有MEMS器件的MEMS微加热板和预键合结构进行共晶键合，MEMS器件正对空腔，硅通孔和MEMS微加热板的焊垫键合，绝缘层和MEMS微加热板的绝缘表面键合；于ASIC芯片正面硅通孔的表面形成硅通孔焊球；切割形成单颗MEMS气体传感器芯片。本发明有助于提高键合性能和制造工艺效率。

本发明授权MEMS气体传感器的晶圆级三维封装方法及结构在权利要求书中公布了：1.一种MEMS气体传感器的晶圆级三维封装方法，其特征在于，包括步骤： 提供半导体基底，所述半导体基底内形成有ASIC芯片及多个间隔设置的硅通孔，所述硅通孔的一端显露于所述半导体基底的正面； 对所述半导体基底进行背面减薄，以使所述硅通孔的另一端和所述半导体基底的背面相平齐，正面和背面为两个相对的表面； 对所述半导体基底的背面进行刻蚀，以使所述硅通孔的表面突出于所述半导体基底的背面； 于所述半导体基底的背面形成绝缘层； 对半导体基底的背面进行化学机械抛光，露出所述硅通孔； 进行光刻和干法刻蚀，以于所述半导体基底的背面形成空腔，所述空腔贯穿所述绝缘层，且延伸到所述半导体基底内，所述空腔在所述半导体基底内的深度为所述半导体基底厚度的14～34，由此得到预键合结构； 将形成有MEMS器件的MEMS微加热板和所述预键合结构进行共晶键合，所述MEMS器件正对所述空腔，所述硅通孔和MEMS微加热板的焊垫键合，所述绝缘层和MEMS微加热板的绝缘表面键合； 于ASIC芯片正面硅通孔的表面形成硅通孔焊球； 切割形成单颗MEMS气体传感器芯片。

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