恭喜日立能源瑞士股份公司U·维穆拉帕蒂获国家专利权
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龙图腾网恭喜日立能源瑞士股份公司申请的专利带具有变化厚度基极区的栅极换流晶闸管单元获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116918071B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202280018775.4,技术领域涉及:H10D18/00;该发明授权带具有变化厚度基极区的栅极换流晶闸管单元是由U·维穆拉帕蒂;N·洛菲蒂斯;J·沃贝基;F·乌德雷亚;T·斯蒂亚斯尼;C·科瓦斯塞;M·安东尼奥设计研发完成,并于2022-01-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本带具有变化厚度基极区的栅极换流晶闸管单元在说明书摘要公布了:一种功率半导体装置1包括栅极换流晶闸管单元20,该栅极换流晶闸管单元包括阴极电极2、第一导电类型的阴极区9、第二导电类型的基极层8、第一导电类型的漂移层7、第二导电类型的阳极层5、阳极电极3和栅电极4。基极层8包括:阴极基极区81,其位于阴极区9与漂移层7之间并具有第一深度D1;栅极基极区82,其位于栅电极4与漂移层7之间并具有第二深度D2;以及中间基极区83,其位于阴极基极区81与栅极基极区82之间并具有第三深度D3的两个不同的值,该第三深度介于第一深度D1与第二深度D2之间。
本发明授权带具有变化厚度基极区的栅极换流晶闸管单元在权利要求书中公布了:1.一种功率半导体装置1,其包括栅极换流晶闸管单元20、第一主侧21、以及与所述第一主侧21相对的第二主侧22, 其中,所述栅极换流晶闸管单元20按照从所述第一主侧21到所述第二主侧22的顺序包括: -阴极电极2,其布置在所述第一主侧21上, -第一导电类型的阴极区9, -不同于所述第一导电类型的第二导电类型的基极层8,其形成到所述阴极区9的第一结31, -所述第一导电类型的漂移层7,其与所述基极层8形成第二结32, -所述第二导电类型的阳极层5,以及 -阳极电极3,其布置在所述第二主侧22上, 其中,所述栅极换流晶闸管单元20进一步包括侧向于所述阴极区9布置的栅电极4, 其中,所述基极层8包括: -阴极基极区81,其位于所述阴极区9与所述漂移层7之间并具有第一深度D1, -栅极基极区82,其位于所述栅电极4与所述漂移层7之间并具有第二深度D2,以及 -中间基极区83,其位于所述阴极基极区81与所述栅极基极区82之间并具有第三深度D3的至少两个不同的值,其中,所述第三深度D3的所述至少两个值既大于所述第一深度D1又小于所述第二深度D2, 其特征在于, 所述第二结32的位于所述中间基极区83与所述漂移层7之间的部分包括: -形成台阶的第一基极过渡区10, -形成进一步的台阶的第二基极过渡区11,以及 -在所述第一基极过渡区10与所述第二基极过渡区11之间的平面。
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