恭喜万国半导体国际有限合伙公司薛彦迅获国家专利权
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龙图腾网恭喜万国半导体国际有限合伙公司申请的专利半晶圆级封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695103B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111538949.3，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权半晶圆级封装方法是由薛彦迅;马督儿·博德;王隆庆;陈波设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半晶圆级封装方法在说明书摘要公布了：一种半晶圆级封装方法，包括以下步骤：制备一个晶圆；研磨晶圆的背面；形成一个金属化层；移除一个外围环；粘合一个第一胶带；应用切割工艺；粘合一个第二胶带；移除第一胶带；粘合一个支撑结构；粘合一个第三条胶带；移除第二胶带；以及应用一个分离过程。一种半晶圆级封装方法，包括以下步骤：制备一个晶圆；将一个载体晶片连接到晶片；研磨晶圆的背面；形成一个金属化层；应用切割工艺；粘合一个支撑结构；移除载体晶片；粘合一个胶带；以及应用分离过程。
本发明授权半晶圆级封装方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造多个晶圆级芯片级半导体封装的方法，该方法包括以下步骤： 提供一个晶圆，晶圆包括正面和与正面相对的背面； 研磨晶圆的背面，形成一个外围环； 将一个金属化层沉积到研磨表面； 移除外围环； 将金属化层粘合到第一胶带； 对晶圆应用切割工艺，形成多个切割器件部分和多个切割金属化部分； 将所述的多个切割器件部分粘合到第二胶带上； 移除第一胶带； 将一个支撑结构粘合到多个切割金属化部分上； 将第三胶带粘合到支撑结构上； 移除第二胶带；并且对支撑结构应用切割工艺； 其中粘合支撑结构的步骤包括以下子步骤： 提供一个金属层，该金属层包括一个第一表面和与一个与第一表面相对的第二表面； 提供一个薄膜层压板，该薄膜层压板包括一个第一表面和一个与第一表面相对的第二表面； 将薄膜层压板的第一表面附着到金属层的第二表面，以形成支撑结构；并且 通过将薄膜层压板的第二表面连接到多个切割金属化部分，将支撑结构连接到多个切割金属化部分。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人万国半导体国际有限合伙公司，其通讯地址为：加拿大安大略省多伦多市国王大街西100号#6000套房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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