恭喜广东省科学院半导体研究所胡诗犇获国家专利权
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龙图腾网恭喜广东省科学院半导体研究所申请的专利一种晶体管及其制作方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171587B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111456448.0，技术领域涉及：H10D64/23；该发明授权一种晶体管及其制作方法及电子设备是由胡诗犇;龚政;庞超;李育智;王建太;郭婵;邹胜晗;潘章旭;陈志涛设计研发完成，并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶体管及其制作方法及电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种晶体管及其制作方法及电子设备，涉及半导体领域。该晶体管包括芯片本体与源漏电极，源漏电极设置于芯片本体的表层，其中，源漏电极包括：富铟层、位于富铟层一侧的氧化铝层、位于氧化铝层一侧的铝层以及位于铝层一侧的铜层。在本申请中氧化铝层可以有效地阻止铜原子向有源层扩散，同时，富铟层可以降低源漏电极与有源层之间的接触电阻，从而提升器件性能。
本发明授权一种晶体管及其制作方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，其特征在于，所述晶体管包括芯片本体与源漏电极，所述源漏电极设置于所述芯片本体的表层； 其中，所述源漏电极包括： 富铟层； 位于所述富铟层远离所述芯片本体一侧的氧化铝层； 位于所述氧化铝层远离所述芯片本体一侧的铝层； 位于所述铝层远离所述芯片本体一侧的铜层； 所述芯片本体包括有源层，所述氧化铝层用于阻止所述铜层的铜原子向所述有源层扩散。
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