恭喜长江存储科技有限责任公司桑瑞获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171389B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111433860.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统是由桑瑞;郭申;李刚;张志雄;张成;谢海波设计研发完成，并于2021-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统。所述方法包括：提供第一半导体结构，以及覆盖所述第一半导体结构的介质层；所述第一半导体结构包括第一栅极结构，以及位于所述第一栅极结构相对两侧的第一源极区和第一漏极区；在所述介质层上形成牺牲层，所述牺牲层背离所述介质层一侧的表面平齐；在所述牺牲层上形成掩膜层，所述掩膜层具有第一掩膜开口；通过所述第一掩膜开口，对所述第一半导体结构对应的牺牲层和介质层进行刻蚀，以裸露部分第一栅极结构、部分第一源极区和部分第一漏极区，作为所述第一半导体结构的第一欧姆接触区。本发明实施例能够缩小半导体结构的欧姆接触区，降低漏电风险。
本发明授权半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供第一半导体结构，以及覆盖所述第一半导体结构的介质层；所述第一半导体结构包括第一栅极结构，以及位于所述第一栅极结构相对两侧的第一源极区和第一漏极区； 在所述介质层上形成牺牲层，所述牺牲层背离所述介质层一侧的表面平齐； 在所述牺牲层上形成掩膜层，所述掩膜层具有第一掩膜开口； 通过所述第一掩膜开口，对所述第一半导体结构对应的牺牲层和介质层进行刻蚀，以裸露部分第一栅极结构、部分第一源极区和部分第一漏极区，作为所述第一半导体结构的第一欧姆接触区。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江存储科技有限责任公司，其通讯地址为：430205 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号