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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利一种存内计算方法及电路、半导体存储器和存储结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116129973B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111347941.9，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权一种存内计算方法及电路、半导体存储器和存储结构是由章恒嘉;丁丽设计研发完成，并于2021-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种存内计算方法及电路、半导体存储器和存储结构在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种存内计算方法及电路、半导体存储器和存储结构，该存内计算方法应用于存内计算电路，存内计算电路包括多个第一存储单元、多个第二存储单元和灵敏放大器，通过根据第一数据对多个第一存储单元进行电平状态控制，输出第一电压；以及根据第二数据对多个第二存储单元进行电平状态控制，输出第二电压；在接收到预设运算指令后，通过灵敏放大器接收第一电压和第二电压并对第一电压和第二电压进行比较，根据第一电压和第二电压的比较结果确定第一数据和第二数据的比较结果。这样，通过对存储单元进行电平控制和电平比较，能够获得两个数据的比较运算结果，从而借助于存储单元实现比较运算，提高数据处理的速度和效率。

本发明授权一种存内计算方法及电路、半导体存储器和存储结构在权利要求书中公布了：1.一种存内计算方法，其特征在于，应用于存内计算电路，所述存内计算电路包括多个第一存储单元、多个第二存储单元和灵敏放大器，所述第一存储单元与第二存储单元数目相等，所述方法包括： 根据第一数据对所述多个第一存储单元进行电平状态控制，输出第一电压；以及根据第二数据对所述多个第二存储单元进行电平状态控制，输出第二电压； 在接收到预设运算指令后，通过所述灵敏放大器接收所述第一电压和所述第二电压并对所述第一电压和所述第二电压进行比较，根据所述第一电压和所述第二电压的比较结果确定所述第一数据和所述第二数据的比较结果； 所述根据第一数据对所述多个第一存储单元进行电平状态控制，输出第一电压；以及根据第二数据对所述多个第二存储单元进行电平状态控制，输出第二电压，包括： 在接收到预设清零指令后，控制所述多个第一存储单元和所述多个第二存储单元均处于第一电平状态； 基于预设位元算法对所述第一数据和所述第二数据分别进行计算，得到第一数量和第二数量； 在接收到预设写入指令后，控制所述第一数量的第一存储单元由第一电平状态调整为第二电平状态，并控制所述第二数量的第二存储单元由第一电平状态调整为第二电平状态。

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