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恭喜顶诺微电子(北京)有限公司杜旭获国家专利权

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龙图腾网恭喜顶诺微电子(北京)有限公司申请的专利一种氮化镓功率晶体管驱动电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116094506B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111308670.6,技术领域涉及:H03K17/687;该发明授权一种氮化镓功率晶体管驱动电路是由杜旭;夏令设计研发完成,并于2021-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

一种氮化镓功率晶体管驱动电路在说明书摘要公布了:本申请涉及一种氮化镓功率晶体管驱动电路,包括驱动模块,配置为对所述氮化镓功率晶体管的控制极充电或者放电,并且控制所述氮化镓功率晶体管Q1栅极电压水平;其中所述驱动模块包括第一驱动晶体管Q2,其控制极配置为接收固定的参考电压,其第一极配置为接收周期性的驱动信号,其第二极耦合到所述氮化镓功率晶体管的控制极,其中所述第一驱动晶体管为氮化镓晶体管;其中所述驱动信号的高电平值大于等于所述氮化镓功率晶体管的目标工作电压;并且所述第一驱动晶体管的控制极最大耐受电压与其阈值电压之差大于等于所述氮化镓功率晶体管的目标工作电压。

本发明授权一种氮化镓功率晶体管驱动电路在权利要求书中公布了:1.一种氮化镓功率晶体管驱动电路,包括 驱动模块,配置为对所述氮化镓功率晶体管的控制极充电或者放电,并且控制所述氮化镓功率晶体管Q1栅极电压水平;其中所述驱动模块包括第一驱动晶体管Q2,其控制极配置为接收固定的参考电压,其第一极配置为接收周期性的驱动信号,其第二极耦合到所述氮化镓功率晶体管的控制极,其中所述第一驱动晶体管为氮化镓晶体管; 其中所述驱动信号的高电平值大于等于所述氮化镓功率晶体管的目标工作电压;并且所述第一驱动晶体管的控制极最大耐受电压与其阈值电压之差大于等于所述氮化镓功率晶体管的目标工作电压。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人顶诺微电子(北京)有限公司,其通讯地址为:100080 北京市海淀区中关村南大街5号二区683栋20层17;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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