恭喜新加坡商格罗方德半导体私人有限公司王蓝翔获国家专利权
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龙图腾网恭喜新加坡商格罗方德半导体私人有限公司申请的专利具有多个输入端子的电阻式存储器元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114122254B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111008771.1，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权具有多个输入端子的电阻式存储器元件是由王蓝翔;陈学深;卓荣发设计研发完成，并于2021-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有多个输入端子的电阻式存储器元件在说明书摘要公布了：本发明涉及具有多个输入端子的电阻式存储器元件，揭示了电阻式存储器元件的结构以及形成电阻式存储器元件的结构的方法。该电阻式存储器元件具有第一电极、第二电极、第三电极、以及开关层。该第一电极与该开关层耦接，该第二电极与该开关层的侧表面耦接，且该第三电极与该开关层耦接。
本发明授权具有多个输入端子的电阻式存储器元件在权利要求书中公布了：1.一种集成电路的结构，该结构包括： 电阻式存储器元件，包括第一电极、第二电极、第三电极，以及具有第一侧表面、与该第一侧表面相对的第二侧表面、底部表面以及与该底部表面相对的顶部表面的开关层，该第一电极与该开关层耦接，该第二电极与该开关层的该第一侧表面耦接，且该第三电极与该开关层的该第二侧表面耦接；以及 绝缘体层，位于该开关层的该顶部表面上， 其中，该第二电极在该开关层的该第一侧表面之上与该绝缘体层重叠，且该第三电极在该开关层的该第二侧表面之上与该绝缘体层重叠。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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