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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的测量方法及测量系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115588622B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110764167.5，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权半导体结构的测量方法及测量系统是由李宗翰;刘志拯设计研发完成，并于2021-07-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的测量方法及测量系统在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构的测量方法及测量系统，涉及半导体技术领域，该半导体结构的测量方法包括如下步骤：提供第一半导体结构和第二半导体结构。本申请通过分别获取第一半导体结构和第二半导体结构的电容值，同时，在第二半导体结构和第一半导体结构在同一晶圆上制备的前提下，得知第一中心区域的电容值与第二中心区域的电容值的比值，以及第一边缘区域的电容值与第二边缘区域的电容值的比值，并根据上述的数值，得到第一中心区域的电容值与第一边缘区域的电容值的比值，通过该比值的大小来判断有源层的厚度均匀性，以为半导体结构的制备提供理论支撑。

本发明授权半导体结构的测量方法及测量系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的测量方法，其特征在于，包括如下的步骤： 提供第一半导体结构，所述第一半导体结构包括第一有源层以及层叠设置在所述第一有源层上的第一栅氧化层和第一栅极，所述第一栅极在所述第一有源层上的投影包括第一中心区域以及围绕所述第一中心区域的第一边缘区域； 提供第二半导体结构，所述第二半导体结构与所述第一半导体结构在同一晶圆上制备，且所述第二半导体结构包括第二有源层以及层叠设置在所述第二有源层上的第二栅氧化层和第二栅极，所述第二栅极在所述第二有源层上投影包括第二中心区域以及围绕所述第二中心区域的第二边缘区域；第一中心区域和第二中心区域的长度不同，第一边缘区域和第二边缘区域的长度相同； 获取所述第一半导体结构的电容值C总1和所述第二半导体结构的电容值C总2； 获取所述第一中心区域的电容值与所述第二中心区域的电容值的比值，以及获取所述第一边缘区域的电容值与所述第二边缘区域的电容值的比值； 根据所述C总1、所述C总2、所述第一中心区域的电容值与所述第二中心区域的电容值的比值以及所述第一边缘区域的电容值与所述第二边缘区域的电容值的比值，得到所述第一中心区域的电容值与所述第一边缘区域的电容值的比值。

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