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龙图腾网恭喜江苏宏微科技股份有限公司申请的专利功率半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113410208B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110704897.6，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权功率半导体器件是由陈超;张海泉;麻长胜;王晓宝;赵善麒设计研发完成，并于2021-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种功率半导体器件，包括：上桥臂单元包括第一功率金属箔片、第二功率金属箔片和第三功率金属箔片，其中，第三功率金属箔片上设置有对称分布的第一突出结构和第二突出结构，其上规律并且对称地排布有数量相同的第一功率半导体芯片，第一功率金属箔片与第三功率金属箔片相连，并且第二功率金属箔片与第三功率金属箔片相连；下桥臂单元包括第四功率金属箔片，在远离第三功率金属箔片的方向延伸设置有第三突出结构和第四突出结构，并且在靠近第一功率半导体芯片的位置设置有源极连接区域，其中，第三突出结构和第四突出结构上规律并且对称地排布有数量相同的第二功率半导体芯片。由此，能够有效地降低功率半导体器件内部的杂散电感。

本发明授权功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：覆金属绝缘陶瓷衬底以及对称设置在所述覆金属绝缘陶瓷衬底上的上桥臂单元和下桥臂单元，其中， 所述上桥臂单元包括第一功率金属箔片、第二功率金属箔片和第三功率金属箔片，其中，所述第三功率金属箔片上设置有对称分布的第一突出结构和第二突出结构，并且在远离所述第一突出结构和所述第二突出结构的另一侧还设置有第一漏极连接区域和第二漏极连接区域，其中，所述第一突出结构和所述第二突出结构上规律并且对称地排布有数量相同的第一功率半导体芯片，所述第一功率金属箔片在所述第一漏极连接区域通过第一金属线与所述第三功率金属箔片相连，并且所述第二功率金属箔片在所述第二漏极连接区域通过第二金属线与所述第三功率金属箔片相连，以进行功率传输； 所述下桥臂单元包括第四功率金属箔片，所述第四功率金属箔片围绕在所述第三功率金属箔片周围，所述第四功率金属箔片在远离所述第三功率金属箔片的方向延伸设置有第三突出结构和第四突出结构，并且在靠近所述第一功率半导体芯片的位置设置有源极连接区域，其中，所述第三突出结构和所述第四突出结构上规律并且对称地排布有数量相同的第二功率半导体芯片，所述第四功率金属箔片在所述源极连接区域通过第三金属线与所述第一功率半导体芯片的源极相连，以进行功率传输；其中， 将所述第一功率金属箔片、第二功率金属箔片和所述第三功率金属箔片互连的金属线上的回路与所述第四功率金属箔片上的电流回路形成交叉，使得内部磁场相互抵消。

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