恭喜台湾积体电路制造股份有限公司林群能获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113540034B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110390184.7，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权半导体装置及其形成方法是由林群能;连建洲;叶明熙设计研发完成，并于2021-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其形成方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体装置及其形成方法。半导体装置包含半导体鳍状物。半导体装置包含在半导体鳍状物上方的栅极间隔物，栅极间隔物的下部围绕第一区域，并且栅极间隔物的上部围绕第二区域。半导体装置包含在第一区域内的栅极介电质。半导体装置包含在第一区域内的金属栅极。半导体装置包含与栅极介电质接触的介电保护层，介电保护层包含在第二区域内的第一部分以及内衬金属栅极的顶表面的第二部分。
本发明授权半导体装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 一半导体鳍状物； 一栅极间隔物，在该半导体鳍状物上方，其中该栅极间隔物的一下部围绕一第一区域，并且该栅极间隔物的一上部围绕一第二区域； 源极区漏极区，设置于该半导体鳍状物的两侧； 一蚀刻停止层，设置于该源极区漏极区上方，该蚀刻停止层的一部分接触该栅极间隔物的一侧壁和该源极区漏极区的一侧壁； 一栅极介电质，在该第一区域内； 一金属栅极，在该第一区域内；以及 一介电保护层，与该栅极介电质接触，该介电保护层包含在该第二区域内的一第一部分以及内衬该金属栅极的一顶表面的一第二部分。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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