恭喜中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司张斯日古楞获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116583953B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080103661.0，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权半导体结构的形成方法是由张斯日古楞设计研发完成，并于2020-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供第一衬底，第一衬底包括相对的第一表面和第二表面，且第一衬底内具有第一离子，第一离子具有第一浓度；在第一衬底的第一表面上形成第一外延层，第一外延层内具有第二离子，第二离子具有第二浓度，第二浓度小于所述第一浓度；在第一外延层上形成第二外延层以及位于第二外延层上的第三外延层，第二外延层内具有第三离子，第三离子具有第三浓度，第三外延层内具有第四离子，第四离子具有第四浓度，第四浓度小于所述第三浓度；从第一衬底的第二表面对第一衬底进行减薄处理，直至暴露出第二外延层的表面。本发明在保证减薄厚度均一性的同时，能够满足制作半导体结构衬底需求，有利于提高半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供第一衬底，所述第一衬底包括相对的第一表面和第二表面，且所述第一衬底内具有第一离子，所述第一离子具有第一浓度； 在所述第一衬底的第一表面上形成第一外延层，所述第一外延层内具有第二离子，所述第二离子具有第二浓度，所述第二浓度小于所述第一浓度；在所述第一外延层上形成第二外延层以及位于所述第二外延层上的第三外延层，所述第二外延层内具有第三离子，所述第三离子具有第三浓度，所述第三外延层内具有第四离子，所述第四离子具有第四浓度，所述第四浓度小于所述第三浓度； 从所述第一衬底的第二表面对所述第一衬底进行减薄处理，直至暴露出所述第二外延层的表面。
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