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龙图腾网恭喜南通尚阳通集成电路有限公司申请的专利SGT MOSFET器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582978B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011369370.4，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权SGT MOSFET器件及制造方法是由曾大杰设计研发完成，并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本SGT MOSFET器件及制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SGTMOSFET器件，栅极结构采用左右结构，在源导电材料层和栅导电材料层之间还形成有深度比栅导电材料层更深的第二场板导电材料层，在器件反偏时，利用第二场板导电材料层和漂移区之间的间隔小于源导电材料层和漂移区之间的间隔的特点增加对靠近沟道区一侧的所述漂移区的耗尽能力。本发明公开了一种SGTMOSFET器件的制造方法。本发明能采用左右结构，且能在器件反偏时提高屏蔽结构对靠近沟道区的漂移区的耗尽能力。

本发明授权SGT MOSFET器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种SGTMOSFET器件，其特征在于，栅极结构包括：栅极沟槽、屏蔽介质层，源导电材料层、第二场板导电材料层和栅导电材料层； 所述屏蔽介质层形成在所述栅极沟槽的内侧表面，所述屏蔽介质层在所述栅极沟槽中围成中间沟槽；在所述中间沟槽中填充源导电材料层； 所述第二场板导电材料层形成于所述源导电材料层两侧的第一顶部子沟槽中，所述栅导电材料层形成于所述源导电材料层两侧的第二顶部子沟槽中； 所述第一顶部子沟槽和所述第二顶部子沟槽都是形成于所述屏蔽介质层中； 所述第一顶部子沟槽的深度大于所述第二顶部子沟槽的深度，在横向上所述第一顶部子沟槽位于所述源导电材料层和所述第二顶部子沟槽之间； 所述第二顶部子沟槽的第一侧面在所述栅极沟槽的对应的侧面上，所述栅导电材料层和所述第二顶部子沟槽的第一侧面之间间隔有栅介质层； 所述第二场板导电材料层将所述第一顶部子沟槽完全填充； 所述栅极沟槽形成于第一导电类型的第一外延层中，在所述第一外延层的表面区域中形成有第二导电类型掺杂的沟道区，所述第二顶部子沟槽穿过所述沟道区； 所述沟道区的底部的所述第一外延层组成漂移区，第一导电类型重掺杂的源区形成于所述沟道区的表面；在所述第一外延层的背面形成有第一导电类型重掺杂的漏区； 在器件反偏时，在从所述漏区到所述沟道区的底部表面的纵向方向上，所述漂移区的电压逐渐减少，所述源导电材料层和所述漂移区的电压差逐渐减少，利用所述第二场板导电材料层和所述漂移区之间的间隔小于所述源导电材料层和所述漂移区之间的间隔的特点增加对靠近所述沟道区一侧的所述漂移区的耗尽能力。

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