恭喜苏州能讯高能半导体有限公司张晖获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州能讯高能半导体有限公司申请的专利成核层结构、半导体器件及成核层结构的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551563B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011335959.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权成核层结构、半导体器件及成核层结构的制造方法是由张晖;张燕飞;钱洪途;孔苏苏设计研发完成，并于2020-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本成核层结构、半导体器件及成核层结构的制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种成核层结构、半导体器件及成核层结构的制造方法，该成核层结构包括：在衬底层上形成至少两个第一成核层和至少两个第二成核层；第一成核层和第二成核层交替间隔设置，衬底层和第一成核层接触；第二成核层掺杂金属杂质，金属杂质包括可以形成正离子的金属。通过间歇性供氨气形成多层结构，并且在不供氨气时掺杂金属化合物金属杂质。如此，在可以减少三甲基铝和氨气预反应的同时使使成核层结构中具有金属正离子，从而在可以提高成核层晶体质量的同时，又可以减少成核层结构中深能级空穴对二维电子气的影响。
本发明授权成核层结构、半导体器件及成核层结构的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种成核层结构，其特征在于，所述成核层结构包括： 在衬底层上形成至少两个第一成核层和至少两个第二成核层；所述第一成核层和第二成核层交替间隔设置，衬底层和所述第一成核层接触； 所述第二成核层掺杂金属杂质，所述金属杂质包括可以形成正离子的金属； 所述第二成核层中掺杂的金属杂质浓度数量级为每立方厘米1e14个，且远离所述衬底层一侧最远的末第二成核层中掺杂的金属杂质浓度，低于靠近所述衬底层最近的首第二成核层中掺杂的金属杂质浓度。
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