恭喜台湾积体电路制造股份有限公司钟嘉文获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利存储器装置、集成芯片及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113346011B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011221691.X，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权存储器装置、集成芯片及其形成方法是由钟嘉文;蔡正原;金海光;潘兴强设计研发完成，并于2020-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置、集成芯片及其形成方法在说明书摘要公布了：一些实施例涉及一种存储器装置。所述存储器装置包括上覆在衬底之上的底部电极。数据存储层上覆在底部电极之上。顶部电极上覆在数据存储层之上。在数据存储层内可选择性地形成导电桥，以将底部电极耦合到顶部电极。扩散阻挡层设置在数据存储层与顶部电极之间。
本发明授权存储器装置、集成芯片及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，包括： 衬底； 底部电极，上覆在所述衬底之上； 数据存储层，上覆在所述底部电极之上； 顶部电极，上覆在所述数据存储层之上，其中在所述数据存储层内能够选择性地形成导电桥，以将所述底部电极耦合到所述顶部电极；以及 扩散阻挡层，设置在所述数据存储层与所述顶部电极之间， 其中所述顶部电极包含扩散性物质，其中所述扩散阻挡层被配置成防止所述扩散性物质从所述顶部电极扩散到所述数据存储层，其中所述扩散阻挡层实质上不含所述扩散性物质，且其中所述扩散性物质为钛。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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