买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜济宁东方芯电子科技有限公司申请的专利一种复合膜层台面保护结构及其膜层生产工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111710654B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010579391.2，技术领域涉及：H01L23/29；该发明授权一种复合膜层台面保护结构及其膜层生产工艺是由耿开远设计研发完成，并于2020-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种复合膜层台面保护结构及其膜层生产工艺在说明书摘要公布了：本发明公开一种复合膜层台面保护结构及其膜层生产工艺，属于半导体器件技术领域，包括半导体器件台面，半导体器件台面上设有沟槽，其特征在于：所述的沟槽的外部依次设有sipos层I、掺磷二氧化硅层、掺氯二氧化硅层和sipos层II，所述沟槽的下方设有PN结,能够实现可控硅PN结的保护。在中间沉积一层吸杂能力强的掺磷二氧化硅层和固定杂质能力强的掺氯二氧化硅，使得在其工作点附近掺磷二氧化硅层和掺氯二氧化硅起到有效降低漏电流的作用，既保证高耐压和高温度特性，又兼顾了漏电流问题。使用此方法的漏电流可以降低到常规方法的约一半左右。解决了现有技术中出现的问题。

本发明授权一种复合膜层台面保护结构及其膜层生产工艺在权利要求书中公布了：1.一种复合膜层的生产工艺，应用于一种复合膜层台面保护结构，所述结构包括半导体器件台面，半导体器件台面上设有沟槽，其特征在于：所述的沟槽的外部依次设有sipos层I1、掺磷二氧化硅层2、掺氯二氧化硅层3和sipos层II4，所述沟槽的下方设有PN结；所述的sipos层II4的外部设有一玻璃层5；所述的sipos层I1膜层厚度为所述的掺磷二氧化硅层2膜层厚度为所述的掺氯二氧化硅层3膜层厚度为所述的sipos层II4膜层厚度为所述的工艺包括以下步骤： 步骤一，沉积sipos层I1，温度T＝680℃，沉积压力TTL＝300mtorr，SiH4流量：500*47％＝235ccmin，N2O流量：300*17％＝51ccmin，沉积时间t＝20min； 步骤二，沉积掺磷二氧化硅层2，温度T＝680℃，沉积压力TTL＝230mtorr，SiH4流量：200*45％＝90ccmin，O2流量：200*28％＝56ccmin，PH3流量：100*10％＝10ccmin，沉积时间t＝6min； 步骤三，沉积掺氯二氧化硅层3，温度T＝680℃，沉积压力TTL＝300mtorr，SiH4流量：500*38％＝190ccmin，N2O流量：300*25％＝75ccmin，HCL流量：30ccmin，沉积时间t＝8min； 步骤四，沉积sipos层II4，温度T＝680℃，沉积压力TTL＝300mtorr，SiH4流量：500*47％＝235ccmin，N2O流量：300*17％＝51ccmin，沉积时间t＝40min。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人济宁东方芯电子科技有限公司，其通讯地址为：272100 山东省济宁市兖州区兖颜路路北天齐庙村村西；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。