恭喜东京毅力科创株式会社滨康孝获国家专利权
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龙图腾网恭喜东京毅力科创株式会社申请的专利基板处理方法和基板处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111834202B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010267814.7，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权基板处理方法和基板处理装置是由滨康孝;野吕基贵;木野周设计研发完成，并于2020-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本基板处理方法和基板处理装置在说明书摘要公布了：本发明涉及基板处理方法和基板处理装置。[课题]在不使掩模的开口部阻塞的情况下使掩模的基底膜收缩。[解决方案]提供一种基板处理方法，其包括如下工序：准备基板的工序，所述基板具有为含硅膜的第1膜、和形成于前述第1膜上、且具有第2开口部的第2膜；控制工序，将基板的温度控制为‑30°以下；和，蚀刻工序，通过前述第2开口部蚀刻前述第1膜，在蚀刻前述第1膜的工序中，使用包含氟碳气体的第1处理气体的等离子体，按照随着蚀刻的推进，形成于前述第1膜的第1开口部的截面的形状变小的方式，使前述第1膜形成为锥形。
本发明授权基板处理方法和基板处理装置在权利要求书中公布了：1.一种基板处理方法，其包括如下工序： 准备基板的工序，所述基板具有为含硅防反射膜的第1膜、形成于所述第1膜上且具有第2开口部的第2膜以及形成于所述第1膜下的第3膜，所述第2膜为光致抗蚀膜，所述第3膜为旋涂碳膜或无定形碳； 控制工序，将所述基板的温度控制为-30°以下； 蚀刻所述第1膜的工序，通过所述第2开口部蚀刻所述第1膜以在所述第1膜中形成第1开口部；以及 在蚀刻所述第1膜的工序之后的蚀刻所述第3膜的工序，通过所述第1开口部蚀刻所述第3膜， 在蚀刻所述第1膜的工序中， 使用包含氟碳气体的第1处理气体的等离子体，按照随着蚀刻的推进，形成于所述第1膜的第1开口部的截面的形状变小的方式，使所述第1膜形成为锥形。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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