恭喜佳能株式会社森本和浩获国家专利权
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龙图腾网恭喜佳能株式会社申请的专利光检测装置及光检测系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649431B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210256628.2，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权光检测装置及光检测系统是由森本和浩;篠原真人设计研发完成，并于2017-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本光检测装置及光检测系统在说明书摘要公布了：本发明公开一种光检测装置及光检测系统，在该装置中，在平面图中，第一导电类型的第一半导体区域与第三半导体区域的至少一部分重叠，第二半导体区域与第二导电类型的第四半导体区域的至少一部分重叠，第三半导体区域的关于第一导电类型的电荷的电位的高度低于第四半导体区域的电位的高度，并且第一半导体区域的电位的高度与第三半导体区域的电位的高度之间的差大于第二半导体区域的电位的高度与第四半导体区域的电位的高度之间的差。
本发明授权光检测装置及光检测系统在权利要求书中公布了：1.一种装置，包括： 具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体衬底；以及 具有多个像素的像素单元，所述多个像素中的每个像素包括雪崩二极管，所述多个像素布置在半导体衬底上， 其中，雪崩二极管包括: 雪崩放大区域，包括第一导电类型的第一半导体区域和第二导电类型的第二半导体区域，第一半导体区域布置在第一深度中，并且第二半导体区域布置在相对于第一表面大于第一深度的第二深度中； 第一导电类型的第三半导体区域，布置在相对于第一表面大于第二深度的第三深度中，所述第三半导体区域被布置成在平面图中与所述第一半导体区域的中心重叠；以及 第二导电类型的第四半导体区域，布置在所述多个像素的第三半导体区域中的每个第三半导体区域之间， 其中，在平面图中，第一半导体区域和第二半导体区域彼此重叠的区域的面积小于第三半导体区域的面积，以及 第四半导体区域电连接到第二半导体区域。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人佳能株式会社，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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