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龙图腾网恭喜意法半导体股份有限公司申请的专利用于制造MEMS压力传感器的方法和相应的MEMS压力传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111704104B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010562184.6，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权用于制造MEMS压力传感器的方法和相应的MEMS压力传感器是由L·巴尔多;S·泽尔比尼;E·杜奇设计研发完成，并于2016-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于制造MEMS压力传感器的方法和相应的MEMS压力传感器在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及一种用于制造MEMS压力传感器的方法和相应的MEMS压力传感器。一种用于制造具有微机械结构的MEMS压力传感器的方法设想：提供具有半导体材料的和顶表面的衬底的晶片；形成掩埋腔，该掩埋腔被完全包含在衬底内并且由悬挂在掩埋腔上方的薄膜与顶表面分隔开；形成用于以必须要确定其的值的一压力设定的薄膜与外部环境的流体连通的流体连通通路；形成被悬挂在薄膜上方的由导电材料制成的由空白空间与薄膜分隔开的板区；以及形成用于薄膜和板区的电连接的电接触元件，该电接触元件被设计为形成感测电容器C的板，感测电容器的电容值指示要被检测的压力的值。此外，描述了具有微机械结构的对应的MEMS压力传感器。

本发明授权用于制造MEMS压力传感器的方法和相应的MEMS压力传感器在权利要求书中公布了：1.一种用于制造MEMS压力传感器的方法，所述方法包括： 在硅材料的衬底中形成完全封闭的掩埋腔； 形成被悬挂在所述掩埋腔处的薄膜； 形成被悬挂在所述薄膜上方的导电层，所述导电层包括板，所述板由空白空间与所述薄膜分隔开，所述板由多晶硅制成，其中形成所述板包括： 在所述衬底的顶表面处的牺牲层； 在所述牺牲层上生长所述导电层； 在所述导电层中形成多个通孔；以及 通过所述多个通孔部分地移除所述牺牲层，并且相对于所述衬底释放所述导电层的一部分，其中部分地移除所述牺牲层形成所述板和在所述薄膜上方的所述空白空间； 形成通路沟道，其中所述多个通孔是所述通路沟道的组成部分，所述通路沟道提供所述薄膜与外部环境之间的流体连通；以及 形成电接触元件，所述电接触元件分别电耦合到所述薄膜和所述板，其中所述薄膜和所述板形成感测电容器，其中形成所述电接触元件包括： 形成第一接触沟槽，所述第一接触沟槽穿过所述导电层直至到达所述牺牲层； 形成第二接触沟槽，所述第二接触沟槽穿过所述导电层和所述牺牲层直至到达所述衬底的所述顶表面； 形成金属区，所述金属区在所述导电层上方、并且在所述第一接触沟槽和所述第二接触沟槽内；以及 通过蚀刻来限定所述金属区，并且形成所述薄膜的用于来自外部的电连接的第一电接触元件、以及所述板的用于来自外部的电连接的第二电接触元件。

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