恭喜江苏捷捷微电子股份有限公司陈英杰获国家专利权
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龙图腾网恭喜江苏捷捷微电子股份有限公司申请的专利一种高dv/dt的可控硅集成芯片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120035205B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510518737.0，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权一种高dv/dt的可控硅集成芯片及其制造方法是由陈英杰;唐椿琛设计研发完成，并于2025-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高dv/dt的可控硅集成芯片及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高dvdt的可控硅集成芯片及其制备方法，包括N‑型衬底，所述N‑型衬底上表面设置有第一P型扩散区、第二P型扩散区和第三P型扩散区，所述第三P型扩散区上下两端设置有第一P‑型扩散区和第二P‑型扩散区，所述第二P型扩散区上表面靠近所述第一P型扩散区的一侧设置第一N+型扩散区，所述第一P‑型扩散区上表面设置有第二N+型扩散区，所述第二P‑型扩散区上表面的一端设置有两个第三N+型扩散区；本发明可以承受工业领域中高频开关引起的电压尖峰，防止误触发，减少了对外围保护电路的需求，减少电路设计成本以及降低电路功耗；光触发可控硅的设计可以将输入侧与输出侧进行电气隔离，提高抗干扰能力。
本发明授权一种高dv/dt的可控硅集成芯片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种高dvdt的可控硅集成芯片，包括N-型衬底（110），其特征在于：所述N-型衬底（110）上表面设置有第一P型扩散区（121）、第二P型扩散区（122）和第三P型扩散区（123），所述第三P型扩散区（123）上下两端设置有第一P-型扩散区（131）和第二P-型扩散区（132），所述第二P型扩散区（122）上表面靠近所述第一P型扩散区（121）的一侧设置第一N+型扩散区（141），所述第一P-型扩散区（131）上表面设置有第二N+型扩散区（142），所述第二P-型扩散区（132）上表面的一端设置有两个第三N+型扩散区（143），两个所述第三N+型扩散区（143）通过设置N型耗尽区（150）连接。
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