恭喜无锡邑文微电子科技股份有限公司;江苏邑文微电子科技有限公司刘田鹏获国家专利权
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龙图腾网恭喜无锡邑文微电子科技股份有限公司;江苏邑文微电子科技有限公司申请的专利一种BPSG薄膜及其制备工艺和单腔多片PECVD设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120015623B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510487658.8，技术领域涉及：H01L21/316；该发明授权一种BPSG薄膜及其制备工艺和单腔多片PECVD设备是由刘田鹏;刘丹;穆洪杨;李康康设计研发完成，并于2025-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种BPSG薄膜及其制备工艺和单腔多片PECVD设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种BPSG薄膜及其制备工艺和单腔多片PECVD设备，属于半导体技术领域。制备工艺包括以下步骤：在单腔多片PECVD设备中，将若干个晶圆放置在不同载台上；将前驱体源通入腔体中，并稳定在第一条件；前驱体源包括硅源前驱体、硼源前驱体和磷源前驱体；预沉积：在第二条件下于晶圆的表面进行预沉积，形成BPSG预沉积薄膜；第二条件包括：300sccm＜QB2＜QB3，0＜t＜5s；主沉积：在第三条件下于BPSG预沉积薄膜的表面继续沉积；主沉积结束后，进行后处理，然后取出沉积得到的BPSG薄膜。本发明避免了BPSG薄膜的分层现象，大大提升了半导体器件的良率以及单腔多片PECVD设备的竞争力。
本发明授权一种BPSG薄膜及其制备工艺和单腔多片PECVD设备在权利要求书中公布了：1.一种BPSG薄膜的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括以下步骤： 在单腔多片PECVD设备中，将若干个晶圆各自独立地放置在不同载台上； 将前驱体源通入腔体中，并稳定在第一条件；其中，所述前驱体源包括硅源前驱体、硼源前驱体和磷源前驱体； 预沉积：在第二条件下，于所述晶圆的表面进行预沉积，形成BPSG预沉积薄膜；其中，所述第二条件包括：300sccm＜QB2＜QB3，0＜t＜5s，QB2为第二条件下硼源前驱体的流量，QB3为第三条件下硼源前驱体的流量； 主沉积：在第三条件下，于所述BPSG预沉积薄膜的表面继续沉积； 所述主沉积结束后，进行后处理，然后取出沉积得到的BPSG薄膜。
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