恭喜浙江广芯微电子有限公司谢刚获国家专利权
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龙图腾网恭喜浙江广芯微电子有限公司申请的专利面向特高压MOS的场景自适应老化测试方法及系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119986303B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510457869.7,技术领域涉及:G01R31/26;该发明授权面向特高压MOS的场景自适应老化测试方法及系统是由谢刚;刘斌凯;湛亚鑫设计研发完成,并于2025-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本面向特高压MOS的场景自适应老化测试方法及系统在说明书摘要公布了:本发明公开了一种面向特高压MOS的场景自适应老化测试方法及系统,涉及MOS测试相关技术领域,该方法包括:建立器件老化测试平台;对目标特高压MOS器件的应用场景信息进行测试条件解析;对目标特高压MOS器件进行预测试调整,确定老化测试更新参数表;对目标特高压MOS器件进行老化测试监测;调用特高压MOS老化自适应评估器,对器件老化场景测试数据流集进行处理评估,得到器件场景老化性能测试结果。解决了现有技术中存在的MOS老化测试缺乏场景适应性、难以精确模拟实际应用环境中MOS器件老化过程,导致测试针对性不足、结果准确性较差的技术问题,达到了提高MOS器件老化测试的针对性和结果准确性的技术效果。
本发明授权面向特高压MOS的场景自适应老化测试方法及系统在权利要求书中公布了:1.面向特高压MOS的场景自适应老化测试方法,其特征在于,所述方法包括: 建立器件老化测试平台,所述器件老化测试平台包括环境试验箱、上位机、测试夹具和测试评估模块; 通过所述上位机对目标特高压MOS器件的应用场景信息进行测试条件解析,生成老化测试条件参数表; 将所述目标特高压MOS器件固定安装在所述测试夹具上,通过所述环境试验箱基于所述老化测试条件参数表对所述目标特高压MOS器件进行预测试调整,确定老化测试更新参数表; 基于所述老化测试更新参数表对所述目标特高压MOS器件进行老化测试监测,获得器件老化场景测试数据流集; 通过所述测试评估模块调用特高压MOS老化自适应评估器,基于所述特高压MOS老化自适应评估器对所述器件老化场景测试数据流集进行处理评估,得到器件场景老化性能测试结果; 其中,所述调用特高压MOS老化自适应评估器,包括: 采集获取特高压MOS老化测试数据集,对所述特高压MOS老化测试数据集进行关键指标分析,确定老化性能关键评估指标集; 按照所述老化性能关键评估指标集对所述特高压MOS老化测试数据集进行分流评估标识,得到关键指标老化测试样本集; 分别对所述关键指标老化测试样本集进行网络结构选择和评估训练,生成指标老化性能评估分支网络集; 将所述指标老化性能评估分支网络集进行集成融合,获得特高压MOS老化自适应评估器并存储至所述测试评估模块; 其中,所述确定老化性能关键评估指标集,包括: 对所述特高压MOS老化测试数据集进行关联指标抽取,获得器件老化关联评估指标集; 基于所述特高压MOS老化测试数据集对所述器件老化关联评估指标集执行聚类操作,得到关联老化指标聚类结果; 对所述关联老化指标聚类结果进行簇内散度和簇间散度计算评估,确定聚类散度质量指数; 基于所述聚类散度质量指数对所述关联老化指标聚类结果进行优化更新和关键指标筛选,确定所述老化性能关键评估指标集; 其中,所述确定所述老化性能关键评估指标集,包括: 基于所述聚类散度质量指数对所述关联老化指标聚类结果进行迭代优化更新,直至预设终止条件,获得老化指标聚类更新结果; 对所述老化指标聚类更新结果中的各指标簇进行关联性评估,得到老化指标簇关联度集合; 根据所述老化指标簇关联度集合,确定老化指标簇筛选阈值集合; 基于所述老化指标簇筛选阈值集合分别对所述老化指标聚类更新结果中的各指标簇进行关键指标筛选,确定所述老化性能关键评估指标集; 其中,所述获得特高压MOS老化自适应评估器,包括: 对所述指标老化性能评估分支网络集中的各分支网络进行关键性评估,获得分支网络关键性系数集; 对所述指标老化性能评估分支网络集中的各分支网络进行输出性能验证,得到分支网络精确因子集; 构建分支网络决策函数:,其中,Fn代表第n个分支网络关键性系数,δn标识检测因素关键性系数,an标识第n个分支网络精确因子; 基于所述分支网络决策函数对所述分支网络关键性系数集和所述分支网络精确因子集进行参数计算,获得分支网络决策参数集; 基于所述分支网络决策参数集对所述指标老化性能评估分支网络集进行加权集成融合,获得所述特高压MOS老化自适应评估器。
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