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龙图腾网恭喜苏州大学申请的专利高表面光提取效率的微型发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119967955B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510453035.9，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权高表面光提取效率的微型发光二极管及其制备方法是由曹冰;王紫薇;袁维文;陈洋;江河;孙倜;许峰设计研发完成，并于2025-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本高表面光提取效率的微型发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高表面光提取效率的微型发光二极管及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供一LED外延片；其中，所述LED外延片包括层叠设置的GaN半导体层、量子阱层以及p‑GaN层；对所述GaN半导体层的N面进行退火处理，使所述GaN半导体层表面的GaN转化为GaO，得到GaN‑GaO半导体层；对所述GaN‑GaO半导体层的N面进行刻蚀，得到多面微锥镜图案层；其中，所述多面微锥镜图案层包括规则排列的多个多面微锥镜，相邻所述多面微锥镜的底部边缘相互贴合；所述多面微锥镜的底高比为（1‑2.5）:1。本发明的提升微型发光二极管表面光提取效率的方法，通过在半导体层的N面上设置特殊结构的多面微锥镜图案层，可以增大表面光提取效率及表面出光占比。

本发明授权高表面光提取效率的微型发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高表面光提取效率的微型发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤： 提供一LED外延片；其中，所述LED外延片包括层叠设置的GaN半导体层、量子阱层以及p-GaN层； 对所述GaN半导体层的N面进行退火处理，使所述GaN半导体层表面的GaN转化为GaO，得到GaN-GaO半导体层； 对所述GaN-GaO半导体层的N面进行刻蚀，得到多面微锥镜图案层； 其中，所述多面微锥镜图案层包括规则排列的多个多面微锥镜，相邻所述多面微锥镜的底部边缘相互贴合；所述多面微锥镜的底高比为（1-2.5）:1； 所述退火处理的工艺条件包括气体氛围为氧气氛围； 所述刻蚀的方法为湿法腐蚀，所述湿法腐蚀的步骤如下： 在温度为80-120℃的条件下，将所述GaN-GaO半导体层置于腐蚀液中，加热10-40min，以在所述GaN-GaO半导体层的N面上得到紧密排列的六面微锥镜，每个六面微锥镜的6个面均为{10-11}晶面； 其中，所述腐蚀液为氨水、H2O2和H2O形成的混合液，体积比为氨水:H2O2:H2O=1:（0.5-1.5）:（4-6）。

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