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龙图腾网恭喜宜矽源半导体南京有限公司申请的专利一种电池管理芯片的多路复用器开关电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119966394B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510444365.1，技术领域涉及：H03K17/693；该发明授权一种电池管理芯片的多路复用器开关电路是由沈泽良;赵寅升;陈铭设计研发完成，并于2025-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电池管理芯片的多路复用器开关电路在说明书摘要公布了：本发明涉及电池管理系统技术领域，具体为一种电池管理芯片的多路复用器开关电路，电流镜模块，用于将第二PMOS管和第四PMOS管上的电流镜像复制到第一PMOS管和第三PMOS管上；控制模块一，用于控制第二控制信号来导通或关闭第二NMOS管，续流模块，用于通过接收第一PMOS管和第三PMOS管上的电流输入，来控制第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管通断；控制模块二，用于控制第一控制信号，实现快速关闭第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管，以及清除上述MOS管的残存电荷；开关模块用于导通或关闭输入电压和输出电压之间的通路，包括输入模块和输出模块本发明利用不同MOS管的电学特性，在保障电流传输效率的同时，降低整体导通损耗。

本发明授权一种电池管理芯片的多路复用器开关电路在权利要求书中公布了：1.一种电池管理芯片的多路复用器开关电路，其特征在于：包括， 电流镜模块，用于将第二PMOS管PM2和第四PMOS管PM4上的电流镜像复制到第一PMOS管PM1和第三PMOS管PM3上； 控制模块一，用于控制第二控制信号Sn来导通或关闭第二NMOS管NM2，实现控制第二PMOS管PM2和第四PMOS管PM4上是否有电流通路； 续流模块，用于通过接收第一PMOS管PM1和第三PMOS管PM3上的电流输入，在第一电阻R1上建立电压，来控制第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5和第六NMOS管NM6通断； 控制模块二，用于控制第一控制信号S’n，实现快速关闭第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5和第六NMOS管NM6，以及清除第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5和第六NMOS管NM6的残存电荷； 开关模块用于导通或关闭输入电压VCn和输出电压Vo之间的通路，包括输入模块和输出模块； 电流镜模块和续流模块包括第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4，第一PMOS管PM1的源极和第二PMOS管PM2的源极连接到总电压VCP，第一PMOS管PM1的栅极和第二MOS管的栅极相连，第一PMOS管PM1的漏极连接到第三PMOS管PM3的源极，第二PMOS管PM2的漏极分别连接到自身的栅极和第四PMOS管PM4的源极，第三PMOS管PM3的栅极和第四PMOS管PM4的栅极相连，第三PMOS管PM3的漏极通过第一电阻R1连接到第五PMOS管PM5的源极，第四PMOS管PM4的漏极连接到第二NMOS管NM2的漏极； 控制模块二包括第一NMOS管NM1，第一NMOS管NM1的栅极连接第一控制信号S’n，第一NMOS管NM1的漏极连接到第三NMOS管NM3的栅极，第一NMOS管NM1的源极连接到第三NMOS管NM3的源极； 控制模块一包括第二NMOS管NM2、第九NMOS管NM9和第八NMOS管NM8，第二NMOS管NM2的栅极连接到第二控制信号Sn，第二NMOS管NM2的源极连接到第九NMOS管NM9的漏极；第八NMOS管NM8的漏极连接到第三PMOS管PM3的漏极，第八NMOS管NM8的栅极分别连接到控制单平VCTRL和第九NMOS管NM9的栅极，第八NMOS管NM8的源极连接到地，第九NMOS管NM9的漏极连接到第二NMOS管NM2，第九NMOS管NM9的源极连接到地； 输入模块包括第三NMOS管NM3、第一TVS二极管D1、第五NMOS管NM5、第二电容C2、第一电容C1，第三NMOS管NM3的漏极连接到输入电压VCn并且分别通过第一TVS二极管D1连接到地和通过第一电容C1连接到地，第三NMOS管NM3的栅极连接到第三PMOS管PM3的漏极和第五NMOS管NM5的栅极，第三NMOS管NM3的源极分别通过第二电容C2连接到地和第二电阻R2连接到第四NMOS管NM4的源极； 输出模块包括第四NMOS管NM4、第六NMOS管NM6，第四NMOS管NM4的栅极分别连接到第三PMOS管PM3的漏极和第六NMOS管NM6的栅极，第四NMOS管NM4的漏极连接输出电压Vo，第五NMOS管NM5的漏极连接到第三NMOS管NM3的漏极，第五NMOS管NM5的源极连接到第三NMOS管NM3的源极，第六NMOS管NM6的源极连接到第四NMOS管NM4的源极，第六NMOS管NM6的漏极连接到第四NMOS管NM4的漏极，第五PMOS管PM5的栅极连接到第四NMOS管NM4的源极，第五PMOS管PM5的漏极连接到地。

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