恭喜顶诺微电子(北京)有限公司夏令获国家专利权
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龙图腾网恭喜顶诺微电子(北京)有限公司申请的专利一种增强型氮化镓功率晶体管及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119967851B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510445178.5，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种增强型氮化镓功率晶体管及电子设备是由夏令设计研发完成，并于2025-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种增强型氮化镓功率晶体管及电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体领域中一种增强型氮化镓功率晶体管，其特征在于包括缓冲层；位于所述缓冲层上方的势垒层；位于所述势垒层上方的源电极和漏电极；位于所述势垒层上方的至少一个第一栅极，其中所述第一栅极包括P型氮化镓；位于所述势垒层上方并包围所述第一栅极的钝化层；位于所述钝化层中并与所述第一栅极保持预设距离的至少一个第二栅极；其中无论所述晶体管处于何种状态，所述第一栅极始终配置为接收第一预设电压。本申请通过将增强型P‑GaN栅极和MIS栅极结合，实现一种具有稳定正阈值电压，以及可靠栅极的氮化镓功率晶体管结构。本申请还提供了一种包括上述增强型氮化镓功率晶体管的电子设备。
本发明授权一种增强型氮化镓功率晶体管及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种增强型氮化镓功率晶体管，其特征在于包括 缓冲层； 位于所述缓冲层上方的势垒层； 位于所述势垒层上方的源电极和漏电极； 位于所述势垒层上方的至少一个第一栅极，其中所述第一栅极包括P型氮化镓，且所述第一栅极为增强型栅极； 位于所述势垒层上方并包围所述第一栅极的钝化层； 位于所述钝化层中并与所述第一栅极保持预设距离的至少一个第二栅极； 其中无论所述晶体管处于何种状态，所述第一栅极始终配置为接收第一预设电压，所述第一预设电压使得在第一栅极在单独作用于下方沟道时，下方沟道不导通； 当所述第二栅极配置接收的电压大于等于第二预设电压，所述第一栅极下方和所述第二栅极下方的沟道导通，否则所述第一栅极下方的沟道关断。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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