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龙图腾网获悉浙江大学;浙江创芯集成电路有限公司申请的专利浮栅型存储器TCAD仿真模型的校准方法、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118862788B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410901531.1，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权浮栅型存储器TCAD仿真模型的校准方法、设备及存储介质是由凌婉怡;任堃;高大为设计研发完成，并于2024-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本浮栅型存储器TCAD仿真模型的校准方法、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开浮栅型存储器TCAD仿真模型的校准方法、设备及存储介质。对浮栅型存储器搭建实际浮栅型存储器和对应TCAD仿真模型；然后对仿真模型进行校准；通过在浮栅型存储器的控制栅和浮栅之间增加电容，微调控制栅和浮栅的电容耦合比，校准器件在编程、擦除过程中氧化层固定电荷参数，校准迁移率模型参数和界面态参数，实现电性测试校准；通过校准SiSiO2界面态、体氧化物陷阱和近界面氧化物陷阱的分布情况，实现可靠性测试校准。本发明方法显著提高TCAD仿真模型的表达准确率。

本发明授权浮栅型存储器TCAD仿真模型的校准方法、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.浮栅型存储器TCAD仿真模型的校准方法，其特征在于所述方法包括： 步骤S1：完成浮栅型存储器的版图设计，并进行实际流片，得到实际浮栅型存储器；基于实际浮栅型存储器进行电学性能测试，得到实际测试数据； 步骤S2：将浮栅型存储器的版图设计文件导入TCAD工具进行浮栅型存储器的工艺建模，得到仿真模型；然后基于仿真模型进行电学性能测试，得到仿真测试数据；然后利用步骤S1的实际测试数据对仿真测试数据进行校准； 所述校准包括电性测试校准、可靠性测试校准； 所述电性测试校准具体是： 首先，通过在浮栅型存储器的控制栅和浮栅之间增加电容，微调控制栅和浮栅的电容耦合比，直至与实际浮栅型存储器相符； 其次，校准器件在编程、擦除过程中氧化层固定电荷参数，直至仿真模型的阈值电压仿真值比实际浮栅型存储器的阈值电压实际值高； 最后，校准迁移率模型参数和界面态参数，直至编程、擦除窗口的仿真测试数据与实际测试数据相符； 校准迁移率模型参数和界面态参数，直至编程、擦除操作后仿真模型的IV曲线仿真值比实际浮栅型存储器的IV曲线实际值高，且编程、擦除操作仿真模型的工作窗口仿真值与实际浮栅型存储器的工作窗口实际值相符； 所述可靠性测试校准具体是： 通过校准SiSiO2界面态、体氧化物陷阱和近界面氧化物陷阱的分布情况，直至仿真模型与实际浮栅型存储器相符。

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