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龙图腾网恭喜清华大学合肥公共安全研究院;安徽辰控智能科技有限公司申请的专利一种压电陶瓷功率驱动装置及其驱动方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110380639B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910720024.7，技术领域涉及：H02N2/00；该发明授权一种压电陶瓷功率驱动装置及其驱动方法是由张飞;毛赫;李云飞;杨效龙;刘明设计研发完成，并于2019-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种压电陶瓷功率驱动装置及其驱动方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种压电陶瓷功率驱动装置及其驱动方法，所述装置包括光电隔离电路、变压器驱动电路、变压器T、阻抗变换电路以及压电陶瓷，控制信号经光电隔离电路输入到变压器驱动电路，变压器驱动电路包括MOS管驱动电路和H桥驱动电路，光电隔离电路的输出端连接MOS管驱动电路的输入端，MOS管驱动电路的输出端连接H桥驱动电路的输入端，H桥驱动电路的输出端连接变压器T，变压器T的次级线圈通过阻抗变换电路连接压电陶瓷；所述方法包括在控制信号的一个周期内将控制信号按时序划分为T1时段、T2时段、T3时段以及T4时段，在不同时段控制各MOS管的导通和截止时间；本发明的优点在于：消除变压器偏磁，降低磁饱和现象以及实现高频率大功率驱动。

本发明授权一种压电陶瓷功率驱动装置及其驱动方法在权利要求书中公布了：1.一种压电陶瓷功率驱动装置，其特征在于，所述装置包括光电隔离电路、变压器驱动电路、变压器T、阻抗变换电路以及压电陶瓷，控制信号经光电隔离电路输入到变压器驱动电路，所述变压器驱动电路包括MOS管驱动电路和H桥驱动电路，所述光电隔离电路的输出端连接MOS管驱动电路的输入端，所述MOS管驱动电路的输出端连接所述H桥驱动电路的输入端，所述H桥驱动电路的输出端连接变压器T，所述变压器T的次级线圈通过阻抗变换电路连接所述压电陶瓷；所述MOS管驱动电路包括电阻R2、电阻R3、三极管Q5A、三极管Q6A，所述H桥驱动电路包括MOS管Q4B、MOS管Q3B、MOS管Q3A、MOS管Q4A、电阻R8以及电阻R9，所述MOS管Q4B的源极接电阻R2的另一端并接电源VCC，所述MOS管Q4B的栅极接电阻R2的一端，所述MOS管Q4B的漏极接MOS管Q3A的漏极，MOS管Q3A的栅极接三极管Q5A的发射极，MOS管Q3A的源极通过电阻R8接地；所述MOS管Q3B的源极接电阻R3的另一端并接电源VCC，所述MOS管Q3B的栅极接电阻R3的一端，所述MOS管Q3B的漏极接MOS管Q4A的漏极，MOS管Q4A的栅极接三极管Q6A的发射极，MOS管Q4A的源极通过电阻R9接地； 在控制信号的一个周期内将控制信号按时序划分为T1时段、T2时段、T3时段以及T4时段，T1时段，MOS管Q4B与MOS管Q4A导通，MOS管Q3B与MOS管Q3A截止，此时变压器T的初级线圈两端电压u为VCC；T2时段，MOS管Q4B与MOS管Q3B截止，MOS管Q4A与MOS管Q3A导通，此时变压器T的初级线圈的电流通过MOS管Q4A与MOS管Q3A释放；T3时段，MOS管Q3B与MOS管Q3A导通，MOS管Q4B与MOS管Q4A截止，此时电压电流反向，变压器T的初级线圈两端电压u为-VCC；T4时段，MOS管Q4B与MOS管Q3B截止，MOS管Q4A与MOS管Q3A导通，此时变压器T的初级线圈的电流通过MOS管Q4A与MOS管Q3A释放，一个周期内，变压器T的初级线圈两端电压峰值增加一倍，实现高频率大功率驱动。

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