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龙图腾网恭喜高通股份有限公司申请的专利金属氧化物半导体MOS器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112331634B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011284282.4，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权金属氧化物半导体MOS器件是由M·古普塔;陈向东;权武尚设计研发完成，并于2016-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本金属氧化物半导体MOS器件在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及金属氧化物半导体MOS器件。MOS器件包括第一、第二、第三和第四互连。第一互连402在第一方向上在第一轨道上延伸。第一互连被配置在金属层中。第二互连404在第一方向上在第一轨道上延伸。第二互连被配置在金属层中。第三互连408在第一方向上在第二轨道上延伸。第三互连被配置在金属层中。第二轨道平行于第一轨道。第三互连耦合到第二互连。第二和第三互连404，408被配置为提供第一信号Clk。第四互连410在第一方向上在第二轨道上延伸。第四互连被配置在金属层中。第四互连耦合到第一互连。第一和第四互连402，410被配置为提供不同于第一信号的第二信号Clk。

本发明授权金属氧化物半导体MOS器件在权利要求书中公布了：1.一种金属氧化物半导体MOS器件，包括： 在第一方向上在第一轨道上延伸的第一互连，所述第一互连被配置在金属层中； 在所述第一方向上在所述第一轨道上延伸的第二互连，所述第二互连被配置在所述金属层中； 在所述第一方向上在第二轨道上延伸的第三互连，所述第三互连被配置在所述金属层中，所述第二轨道平行于所述第一轨道，所述第三互连耦合到所述第二互连，所述第二互连和所述第三互连被配置为提供第一信号；以及 在所述第一方向上在所述第二轨道上延伸的第四互连，所述第四互连被配置在所述金属层中，所述第四互连耦合到所述第一互连，所述第一互连和所述第四互连被配置为提供不同于所述第一信号的第二信号， 其中所述第一互连和所述第三互连以第一相等长度在第二方向上延伸，其中所述第二互连和所述第四互连以第二相等长度在所述第二方向上延伸，并且其中所述第二方向与所述第一方向正交。

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