天津工业大学孙跃获国家专利权
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龙图腾网获悉天津工业大学申请的专利超分子配位框架化合物及其制备方法、超分子配位框架修饰的纳米通道膜及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116162259B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310159151.0，技术领域涉及：C08G83/00；该发明授权超分子配位框架化合物及其制备方法、超分子配位框架修饰的纳米通道膜及其应用是由孙跃;王玉美;李润豪;刘义设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本超分子配位框架化合物及其制备方法、超分子配位框架修饰的纳米通道膜及其应用在说明书摘要公布了：本发明属于离子高效分离材料技术领域，具体涉及超分子配位框架化合物及其制备方法、超分子配位框架修饰的纳米通道膜及其应用。本发明提供了一种超分子配位框架化合物，具有式1所示结构。本发明提供的超分子配位框架化合物结构中具有卟啉基团，当超分子配位框架化合物作为筛分主体化学修饰于纳米通道膜的纳米通道中时，框架中的卟啉基团与二价离子之间具有强相互配位作用，从而阻止二价离子的通过，因此能够选择性地通过一价离子，形成了一价二价离子选择性传输。由本发明提供的超分子配位框架化合物作为筛分主体修饰在纳米通道内表现出显著的离子筛分性能，对一价二价离子具有优异的筛分性能。
本发明授权超分子配位框架化合物及其制备方法、超分子配位框架修饰的纳米通道膜及其应用在权利要求书中公布了：1.一种超分子配位框架化合物，其特征在于，具有式1所示结构：
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