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龙图腾网恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117375547B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210762500.3，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法是由姜文铮;母志强;赵佳;李卫民;俞文杰设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法，包括：在第一衬底上生长至少一层压电薄膜；形成第一电极；图形化第一电极和压电薄膜，再形成键合层；刻蚀键合层，形成第一开口；将键合层与第二衬底键合固定，所述第一开口形成空腔结构；去除第一衬底，暴露出压电薄膜的底表面，减薄压电薄膜的底表面，在压电薄膜的底表面进行二次压电薄膜生长，形成二次压电薄膜生长层；形成介质层，并图形化所述介质层，形成第二开口；形成第二电极，并制作电性引出结构。本发明通过减薄和再生长工艺制备掺杂AlN与单晶AlN相结合的压电层，有利于提升压电层厚度及质量、改善压电层应力，进一步提高体声波谐振器的机电耦合系数、品质因数Q等性能参数。

本发明授权一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括： 1提供第一衬底，在所述第一衬底上生长至少一层压电薄膜； 2在所述压电薄膜表面形成第一电极； 3图形化所述第一电极和所述压电薄膜，并形成覆盖所述第一电极和所述压电薄膜的键合层； 4刻蚀所述键合层，形成暴露所述第一电极的第一开口； 5提供第二衬底，将步骤4获得的结构倒置，以使所述键合层与所述第二衬底键合固定，所述第一开口形成空腔结构； 6去除所述第一衬底，暴露出所述压电薄膜的底表面，减薄所述压电薄膜的底表面，在所述压电薄膜的底表面进行二次压电薄膜生长，形成二次压电薄膜生长层； 7在所述二次压电薄膜生长层表面形成介质层，并图形化所述介质层，形成第二开口，所述第二开口在竖直方向的投影落入空腔结构内； 8在所述第二开口和所述介质层表面形成第二电极，并制作所述第一电极和所述第二电极的电性引出结构； 步骤1中，在所述第一衬底上生长一层压电薄膜，所述压电薄膜为单晶氮化铝层，则步骤6中，进行二次压电薄膜生长的步骤包括：先在所述压电薄膜的底表面生长另一单晶氮化铝层，再在所述另一单晶氮化铝层表面形成掺杂的氮化铝层；或者： 步骤1中，在所述第一衬底上生长两层压电薄膜，所述压电薄膜包括单晶氮化铝层和形成于所述单晶氮化铝层表面的掺杂的氮化铝层，则步骤6中，进行二次压电薄膜生长的步骤包括在所述压电薄膜的底表面生长另一掺杂的氮化铝层。

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