京东方科技集团股份有限公司;南京京东方显示技术有限公司金潘获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;南京京东方显示技术有限公司申请的专利晶体管结构、显示基板及制备方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000096B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210629349.6，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权晶体管结构、显示基板及制备方法、显示装置是由金潘设计研发完成，并于2022-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管结构、显示基板及制备方法、显示装置在说明书摘要公布了：本公开提供一种晶体管结构、显示基板及制备方法、显示装置。该晶体管结构包括：基底、设置在所述基底上的控制极、至少覆盖所述控制极的侧表面的平坦化层、覆盖所述控制极和所述平坦化层的栅绝缘层、设置在所述栅绝缘层远离所述基底一侧的有源层、设置在所述栅绝缘层远离所述基底一侧且与所述有源层电接触的第一极和第二极，其中，所述有源层在所述基底的正投影与所述平坦化层在所述基底的正投影无交叠。该晶体管结构中控制极与第一极和第二极之间的短路风险得到降低，晶体管结构的可靠性和良率得到提升。
本发明授权晶体管结构、显示基板及制备方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种晶体管结构，其特征在于，包括：基底（1）、设置在所述基底（1）上的控制极（21）、至少覆盖所述控制极（21）的侧表面的平坦化层（3）、覆盖所述控制极（21）和所述平坦化层（3）的栅绝缘层（4）、设置在所述栅绝缘层（4）远离所述基底（1）一侧的有源层（5）、设置在所述栅绝缘层（4）远离所述基底（1）一侧且与所述有源层（5）电接触的第一极（61）和第二极（62），其中，所述有源层（5）在所述基底（1）的正投影与所述平坦化层（3）在所述基底（1）的正投影无交叠； 所述平坦化层（3）自所述控制极（21）的侧表面延伸至部分所述控制极（21）远离基底（1）一侧的表面；所述平坦化层（3）的厚度大于所述控制极（21）的厚度，所述平坦化层（3）的厚度与所述控制极（21）的厚度之差在0.1um到2um的范围内。
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